[發明專利]控制導電基板霧度的制作方法

無效

• 申請號: 201010279957.6
• 申請日: 2010-09-08
• 公開（公告）號: CN102403395A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 李炳寰;洪麗玲;江鴻儒;胡英杰;蔡明雄
• 申請（專利權）人: 亞樹科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種導電基板的制作方法，特別是涉及一種控制導電基板霧度的制作方法。

背景技術

參閱圖1，薄膜太陽能電池的主要結構包括一以玻璃為主要成份所構成的透明的基材11和一形成在該基材上的透明導電薄膜12所構成的導電基板、一多晶層13，及一金屬電極14。

光自導電基板的玻璃基材11頂面照射，經由該透明導電薄膜12進入該多晶層13，而由該多晶層13以光伏效應將光能轉換為電能，轉換的電由導電基板的透明導電薄膜12，及金屬電極14配合將電能傳送至外界。

由于光進入多晶層13后并非立刻全部轉換成電能，而仍有相當比例的光會繼續行進，甚至反射后經該透明導電薄膜12而離開該薄膜太陽能電池。因此，對薄膜太陽能電池而言，為了有最大量的光留在多晶層13中轉換變成電能，導電基板的透明導電薄膜12不但需為足夠的透明，以供最大量的光能穿透進入該多晶層13中，同時，也必須具有一定的霧度阻止進入該多晶層13中的光反射離開，進而讓最大量的光留在該多晶層13中以轉換產生電能。

目前，制作導電基板的主要方法是將玻璃基材11于特定溫度(依各產家不同)持溫后，噴灑具有該透明導電薄膜12主要成份的導電鍍液于該玻璃基材11上，再使該導電鍍液以鍍覆成型過程附著于該玻璃基材11上形成該透明導電膜12，即制得導電基板。此種方法主要的缺點為形成的該透明導電膜12的霧度極低，而無法阻止進入該多晶層13中的光反射離開該多晶層13，導致該多晶層13所能吸收、轉換的光能少，薄膜太陽能電池的光電效率低落。

因此，在美國專利第7179527號專利案中揭示一種提高霧度的導電基板的方法，是先在一透明的基材上鍍一層含有顆粒的不連續薄膜，再于該不連續薄膜上形成一透明導電薄膜，進而制得較高霧度的導電基板。

雖然此方法確實制作出具有較佳霧度的導電基板，但嚴格說來，本方法是在該透明導電薄膜與基材間再形成一不連續薄膜，除了增加制作過程的復雜程度及時間外，也因該不連續薄膜的存在，而影響導電的效率，進而導致收集到的電能降低。

由此可見，上述現有的導電基板在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，因此如何能創設一種新的控制導電基板霧度的制作方法，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的導電基板存在的缺陷，而提供一種新的控制導電基板霧度的制作方法，所要解決的技術問題是使其提供一種制造工藝單純，節省資源的控制導電基板霧度的制作方法。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種控制導電基板霧度的制作方法，其中：該控制導電基板霧度的制作方法包含一基材準備步驟及一升溫步驟，該基材準備步驟是將一基材加熱至一不小于300℃的第一溫度，該升溫鍍膜步驟是將該基材自該第一溫度升溫至一高于該第一溫度的第二溫度，并在該基材升溫的過程中鍍上一導電薄膜。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該升溫鍍膜步驟在該基材升溫的過程中，噴灑一導電鍍液而在該基材上鍍一導電薄膜。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該第一溫度不大于560℃。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該第二溫度是400-600℃。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該升溫鍍膜步驟噴灑的導電鍍液的主成分是選自氧化錫、氧化鋅，或氧化銦。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該升溫鍍膜步驟噴灑的該導電鍍液的組成還包含氟、銻、鋁、錫，及前述的組合。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該升溫鍍膜步驟形成的該導電薄膜是選自氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化錫摻氟、氧化錫摻銻、氧化鋅摻鋁、氧化銦摻錫，及前述的組合為材料構成。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該升溫鍍膜步驟噴灑該導電鍍液而形成該導電薄膜的時間是1-100分鐘，而使形成的該透明導電膜的片電阻不大于10Ω/sq。

前述的控制導電基板霧度的制作方法，其中所述的該升溫鍍膜步驟噴灑該導電鍍液而形成該導電薄膜的時間是1-100分鐘，而使形成的該透明導電膜的片電阻不大于10Ω/sq。