[發明專利]控制導電基板霧度的制作方法

無效

• 申請號: 201010279957.6
• 申請日: 2010-09-08
• 公開（公告）號: CN102403395A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 李炳寰;洪麗玲;江鴻儒;胡英杰;蔡明雄
• 申請（專利權）人: 亞樹科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該控制導電基板霧度的制作方法包含一基材準備步驟及一升溫步驟，該基材準備步驟是將一基材加熱至一不小于300℃的第一溫度，該升溫鍍膜步驟是將該基材自該第一溫度升溫至一高于該第一溫度的第二溫度，并在該基材升溫的過程中鍍上一導電薄膜。

2.如權利要求1所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該升溫鍍膜步驟在該基材升溫的過程中，噴灑一導電鍍液而在該基材上鍍一導電薄膜。

3.如權利要求2所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該第一溫度不大于560℃。

4.如權利要求3所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該第二溫度是400-600℃。

5.如權利要求4所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該升溫鍍膜步驟噴灑的導電鍍液的主成分是選自氧化錫、氧化鋅，或氧化銦。

6.如權利要求5所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該升溫鍍膜步驟噴灑的該導電鍍液的組成還包含氟、銻、鋁、錫，及前述的組合。

7.如權利要求6所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該升溫鍍膜步驟形成的該導電薄膜是選自氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化錫摻氟、氧化錫摻銻、氧化鋅摻鋁、氧化銦摻錫，及前述的組合為材料構成。

8.如權利要求2所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該升溫鍍膜步驟噴灑該導電鍍液而形成該導電薄膜的時間是1-100分鐘，而使形成的該透明導電膜的片電阻不大于10Ω/sq。

9.如權利要求8所述的控制導電基板霧度的制作方法，其特征在于：該升溫鍍膜步驟噴灑該導電鍍液而形成該導電薄膜的時間是1-100分鐘，而使形成的該透明導電膜的片電阻不大于10Ω/sq。