[發明專利]用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元

有效

• 申請號: 201010278401.5
• 申請日: 2010-07-28
• 公開（公告）號: CN101985742A
• 公開（公告）日: 2011-03-16
• 發明（設計）人: 李在珷
• 申請（專利權）人: 麗佳達普株式會社
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/455
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林

相關專利申請的交叉引用

本申請要求于2009年7月28日在韓國專利局提交的申請號為10-2009-0068833的韓國專利申請的優先權，此處引用其全文作為參考。

技術領域

本發明總體上涉及一種用于在半導體襯底上形成薄層的設備，更具體地說，涉及一種用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元。

背景技術

化學氣相沉積設備是這樣一種裝置，該裝置通過氣體噴射單元向化學氣相沉積設備的處理室中噴射處理氣體而在放置在該處理室內的基座上的半導體襯底上沉積薄層。該氣體噴射單元是用來向位于處理室內的襯底上均勻地噴射處理氣體的設備。

當氣體噴射單元變熱到理想處理溫度以上時，可能會在氣體噴射單元內引起不期望的化學反應，并引發非計劃的反應副產品沉積而吸附在氣體噴射單元的內表面上。為了避免這種現象，采用冷卻單元以將氣體噴射單元保持在預定溫度之下的問題。

相關技術中已知的冷卻單元提出了在氣體噴射單元內設置單獨的冷卻劑管，以提供冷卻。然而，考慮到冷卻劑管未穿過的區域不能被平穩冷卻，并且很難密集地設置冷卻水管，存在許多與這種已知技術相關的問題。此外，由于冷卻水管占據過多空間，冷卻水管自身也具有很大的局限性。

發明內容

冷卻單元保持氣體噴射單元的溫度處于預定溫度以下的溫度。具有這種冷卻單元的氣體噴射單元能夠被均勻冷卻，并且很容易制造。

根據本發明的一個方面，用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元包括：氣體分配殼體；冷卻殼體，該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和執行沉積處理的處理室之間，并形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口；處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體，該處理氣體管的另一端通向所述處理室，該處理氣體管貫穿所述冷卻殼體；以及第一壁部，該第一壁部位于所述冷卻殼體內，并將所述冷卻殼體的內部分隔為中央通路和外圍通路，且形成有使所述中央通路與所述外圍通路連通的通孔。

根據本發明的另一方面，化學氣相沉積設備包括：處理室；基座，該基座位于所述處理室內，并且在基座上裝載襯底；以及氣體噴射單元，該氣體噴射單元向所述處理室的內部噴射處理氣體，該氣體噴射單元包括：氣體分配殼體；冷卻殼體，該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和所述處理室之間，并形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口；處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體，該處理氣體管的另一端通向所述處理室，該處理氣體管貫穿所述冷卻殼體；以及第一壁部，該第一壁部位于所述冷卻殼體內，并將所述冷卻殼體分隔為中央通路和外圍通路，且形成有使所述中央通路與所述外圍通路連通的通孔。

根據本發明的另一方面，用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元包括：第一室；第二室，該第二室位于所述第一室和執行沉積處理的處理室之間，并形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口；圓形管，該圓形管位于所述第二室內，以將所述第二室的內部分隔為中央通路和外圍通路；以及處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述第一室，該處理氣體管的另一端通向所述處理室，其中該處理氣體管穿過所述第二室，其中，所述圓形管形成有多個通孔。

附圖說明

通過參照詳細描述本發明的示例性實施方式，本發明的上述和其他特征以及優點將變得更加清楚，在附圖中：

圖1是根據本發明的一個實施方式的化學氣相沉積設備的剖視圖；

圖2是根據本發明的一個實施方式的沿著圖3中的線B-B’剖取的用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元的剖視圖；

圖3是根據本發明的一個實施方式的沿著圖2中的線A-A’剖取的用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元的平面圖；以及

圖4A-4B分別是根據本發明的一個實施方式的用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元的圖3的部分C和D的局部放大圖。

具體實施方式

現在將參考附圖更充分地描述本發明，附圖示出了本發明的示例性實施方式。然而，本公開可以以不同的形式進行實施，并且不應解釋為只限于本文所闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式是為了使本公開全面完整，并且向本領域技術人員充分地展示本發明的范圍。在附圖中，為了清楚顯示，將層和區域的尺寸夸大。附圖中的相同附圖標記代表相同的部件。