[發(fā)明專利]用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010278401.5 | 申請(qǐng)日: | 2010-07-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101985742A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李在珷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 麗佳達(dá)普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C16/00 | 分類號(hào): | C23C16/00;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 化學(xué) 沉積 設(shè)備 氣體 噴射 單元 | ||
1.一種用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元,該氣體噴射單元包括:
氣體分配殼體;
冷卻殼體,該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和執(zhí)行沉積處理的處理室之間,其中該冷卻殼體形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口;
處理氣體管,該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體,該處理氣體管的另一端通向所述處理室,其中該處理氣體管形成為穿過(guò)所述冷卻殼體的一部分;以及
第一壁部,該第一壁部位于所述冷卻殼體內(nèi),并將所述冷卻殼體分隔為中央通路和外圍通路,其中該第一壁部形成有用于在所述中央通路與所述外圍通路之間提供通路的一個(gè)或更多個(gè)通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體噴射單元,其中,所述冷卻劑入口和所述冷卻劑出口形成在所述外圍通路中。
3.如權(quán)利要求1所述的氣體噴射單元,其中,所述處理氣體管穿過(guò)所述冷卻殼體的所述中央通路。
4.如權(quán)利要求1所述的氣體噴射單元,其中,所述一個(gè)或更多個(gè)通孔從所述中央通路的中心沿著徑向方向形成。
5.如權(quán)利要求2所述的氣體噴射單元,該氣體噴射單元還包括第二壁部,該第二壁部位于所述外圍通路中,以將所述外圍通路的具有所述冷卻劑入口的部分與所述外圍通路的具有所述冷卻劑出口的部分分隔開(kāi),從而基本防止從所述冷卻劑入口引入到所述外圍通路中的冷卻劑沒(méi)被引入所述中央通路中就被排放到所述冷卻劑出口。
6.如權(quán)利要求5所述的氣體噴射單元,其中,所述第二壁部在所述冷卻劑入口與所述冷卻劑出口的大致中間部位設(shè)置在所述外圍通路中。
7.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備,該化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括:
處理室;
基座,該基座位于所述處理室內(nèi),并且在所述基座上能裝載襯底;以及
氣體噴射單元,該氣體噴射單元向所述處理室的內(nèi)部噴射處理氣體,該氣體噴射單元包括:
氣體分配殼體;
冷卻殼體,該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和所述處理室之間,其中該冷卻殼體形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口;
處理氣體管,該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體,該處理氣體管的另一端通向所述處理室,其中該處理氣體管形成為穿過(guò)所述冷卻殼體的一部分;以及
第一壁部,該第一壁部位于所述冷卻殼體內(nèi),并將所述冷卻殼體分隔為中央通路和外圍通路,其中該第一壁部形成有用于在所述中央通路與所述外圍通路之間提供通路的一個(gè)或更多個(gè)通孔。
8.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其中,所述冷卻劑入口和所述冷卻劑出口形成在所述外圍通路中。
9.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其中,所述處理氣體管穿過(guò)所述冷卻殼體的所述中央通路。
10.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其中,所述一個(gè)或更多個(gè)通孔從所述中央通路的中心沿著徑向方向形成。
11.如權(quán)利要求8所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備,該化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括第二壁部,該第二壁部位于所述外圍通路中,以將所述外圍通路的具有所述冷卻劑入口的部分與所述外圍通路的具有所述冷卻劑出口的部分分隔開(kāi),從而基本防止從所述冷卻劑入口引入到所述外圍通路中的冷卻劑沒(méi)被引入所述中央通路就被排放到所述冷卻劑出口。
12.如權(quán)利要求11所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其中,所述第二壁部在所述冷卻劑入口與所述冷卻劑出口的大致中間部位設(shè)置在所述外圍通路中。
13.一種用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元,該氣體噴射單元包括:
第一室;
第二室,該第二室位于所述第一室和執(zhí)行沉積處理的處理室之間,其中該第二室形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口;
圓形管,該圓形管位于所述第二室內(nèi),以將所述第二室分隔為中央通路和外圍通路;以及
處理氣體管,該處理氣體管的一端通向所述第一室,該處理氣體管的另一端通向所述處理室,其中該處理氣體管穿過(guò)所述第二室,
其中,所述圓形管形成有多個(gè)通孔,從而在所述中央通路與所述外圍通路之間提供通路。
14.如權(quán)利要求13所述的氣體噴射單元,其中,所述冷卻劑入口和所述冷卻劑出口形成在所述外圍通路中。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
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