[發明專利]抗反射圖像傳感器無效
| 申請號: | 201010276899.1 | 申請日: | 2010-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102024832A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | 李廷好;鄭相日 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 圖像傳感器 | ||
技術領域
本公開總地涉及圖像傳感器,更具體地涉及具有抗反射層的圖像傳感器。
背景技術
圖像傳感器已經普遍存在。它們廣泛用于數字照相機、便攜式電話、安全照相機、醫學、汽車及其它應用中。
然而,隨著像素變小,能接收入射光的表面面積也減小,在光電二極管處的反射變成入射光損失的主要起因之一,這導致光電二極管響應度和量子效率的減小。
發明內容
本公開教導了具有抗反射層的圖像傳感器及其制造方法。提供了示范性實施例。
提供了示范性實施例的抗反射圖像傳感器,該抗反射圖像傳感器包括:襯底;多個第一顏色傳感像素,設置在襯底中;多個第二顏色傳感像素,設置在襯底中;多個第三顏色傳感像素,設置在襯底中;第一層,直接設置在多個第一、第二和第三顏色傳感像素上;第二層,直接設置在第一層上覆蓋多個第一、第二和第三顏色傳感像素;以及第三層,直接設置在第二層的部分上覆蓋多個第一和第二顏色傳感像素的至少一種,其中第一層具有第一折射率,第二層具有大于第一折射率的第二折射率,第三層具有大于第二折射率的第三折射率。
提供了另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第一顏色是紅色,第二顏色是綠色,第三顏色是藍色。提供了另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第一顏色是品紅色,第二顏色是黃色,第三顏色是青色。提供了另一示范性實施例抗反射圖像傳感器,其中第一層包括SiO2,第二層包括Si3N4,第三層包括TiO2或熱處理的SiON。提供了另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第一層具有在約1.45至約1.50之間的折射率,第二層具有在約1.95至約2.05之間的折射率。提供了另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第一層具有約15nm的厚度,第二層具有約7nm的厚度,第三層具有約15nm的厚度。提供了另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第一層是柵電介質層或絕緣層。
提供又一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,還包括設置在暴露的第二層和第三層上的第四層,第四層包括與第二層相同的材料。提供了另一示范性實施例圖像傳感器,還包括:第一層間電介質區,設置在傳感器陣列區中的第二層和第三層上;以及第二層間電介質區,設置在周邊電路區中,其中第一層間電介質區的頂部低于第二層間電介質區的頂部。提供了另一示范性實施例的圖像傳感器,還包括:第一層間電介質區,設置在傳感器陣列區中第一層下面;以及至少一個微透鏡,設置在第一層上方用于背側照射。
提供另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第三層分別設置在全部第一顏色傳感像素上或全部第二顏色傳感像素上以及設置在第一和第二顏色傳感像素中另一種的一些上。
提供再一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,包括:襯底;第一顏色傳感像素,設置在襯底中;第一層,直接設置在第一顏色傳感像素上;第二層,直接設置在第一層上覆蓋第一顏色傳感像素;以及第三層,直接設置在第二層上覆蓋第一顏色傳感像素,其中第一層包括硅氧化物,第二層包括硅氮化物,第三層包括熱處理的硅氧氮化物。
提供另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第一顏色是紅色。提供另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,其中第一層是SiO2,第二層是Si3N4,第三層是熱處理的SiON。
提供另一示范性實施例的抗反射圖像傳感器,還包括:第二顏色傳感像素,設置在襯底中;第三顏色傳感像素,設置在襯底中;第一層,直接設置在第一、第二和第三顏色傳感像素上;第二層,直接設置在第一層上覆蓋第一、第二和第三顏色傳感像素;以及第三層,直接設置在第二層的部分上覆蓋第一和第二顏色傳感像素的至少一種,其中第一層具有第一折射率,第二層具有大于第一折射率的第二折射率,第三層具有大于第二折射率的第三折射率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





