[發明專利]抗反射圖像傳感器

無效

• 申請號: 201010276899.1
• 申請日: 2010-09-09
• 公開（公告）號: CN102024832A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 李廷好;鄭相日
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種抗反射圖像傳感器，包括：

襯底；

多個第一顏色傳感像素，設置在所述襯底中；

多個第二顏色傳感像素，設置在所述襯底中；

多個第三顏色傳感像素，設置在所述襯底中；

第一層，直接設置在所述多個第一、第二和第三顏色傳感像素上；

第二層，直接設置在所述第一層上覆蓋所述多個第一、第二和第三顏色傳感像素；以及

第三層，直接設置在所述第二層的部分上覆蓋所述多個第一和第二顏色傳感像素的至少一種，

其中所述第一層具有第一折射率，所述第二層具有大于所述第一折射率的第二折射率，所述第三層具有大于所述第二折射率的第三折射率。

2.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一顏色是紅色，所述第二顏色是綠色，所述第三顏色是藍色。

3.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一顏色是品紅色，所述第二顏色是黃色，所述第三顏色是青色。

4.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一層包括SiO₂，所述第二層包括Si₃N₄，所述第三層包括TiO₂或熱處理的SiON。

5.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一層具有在1.45至1.50之間的折射率，所述第二層具有在1.95至2.05之間的折射率。

6.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一層具有15nm的厚度，所述第二層具有7nm的厚度，所述第三層具有15nm的厚度。

7.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一層是柵電介質層或絕緣層。

8.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，還包括在暴露的所述第二層和所述第三層上設置的第四層，所述第四層包括與所述第二層相同的材料。

9.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，還包括：

第一層間電介質區，設置在傳感器陣列區中的所述第二層和所述第三層上；以及

第二層間電介質區，設置在周邊電路區中，

其中所述第一層間電介質區的頂部低于所述第二層間電介質區的頂部。

10.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，還包括：

第一層間電介質區，在傳感器陣列區中設置在所述第一層下面；以及

至少一個微透鏡，設置在所述第一層上方用于背側照射。

11.如權利要求1所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第三層分別設置在全部所述第一顏色傳感像素上或全部第二顏色傳感像素上以及設置在所述第一顏色傳感像素和第二顏色傳感像素中另一種的一些上。

12.一種抗反射圖像傳感器，包括：

襯底；

第一顏色傳感像素，設置在所述襯底中；

第一層，直接設置在所述第一顏色傳感像素上；

第二層，直接設置在覆蓋所述第一顏色傳感像素的第一層上；以及

第三層，直接設置在覆蓋所述第一顏色傳感像素的第二層上，

其中所述第一層包括硅氧化物，第二層包括硅氮化物，第三層包括熱處理的硅氧氮化物。

13.如權利要求12所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一顏色是紅色。

14.如權利要求12所述的抗反射圖像傳感器，其中所述第一層是SiO₂，所述第二層是Si₃N₄，所述第三層是熱處理的SiON。

15.如權利要求12所述的抗反射圖像傳感器，還包括：

第二顏色傳感像素，設置在所述襯底中；

第三顏色傳感像素，設置在所述襯底中；

第一層，直接設置在所述第一、第二和第三顏色傳感像素上；

第二層，直接設置在覆蓋所述第一、第二和第三顏色傳感像素的第一層上；

第三層，直接設置在所述第二層的覆蓋所述第一和第二顏色傳感像素的至少一種的部分上，

其中所述第一層具有第一折射率，所述第二層具有大于所述第一折射率的第二折射率，所述第三層具有大于所述第二折射率的第三折射率。