[發明專利]用FPGA實現快速SRAM讀寫控制的裝置及方法無效
| 申請號: | 201010275575.6 | 申請日: | 2010-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN102403033A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 袁斯華;周智 | 申請(專利權)人: | 盛樂信息技術(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/413 | 分類號: | G11C11/413 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 孫大為 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | fpga 實現 快速 sram 讀寫 控制 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種數據控制裝置及方法,具體涉及一種用于靜態隨機存取存儲器SRAM的數據控制裝置及方法。
背景技術
靜態隨機存取存儲器(Static?Random?Access?Memory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下,動態隨機存取內存(DRAM)里面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而,當電力供應停止時,其內儲存的數據還是會消失,這與在斷電后還能儲存資料的ROM或快閃存儲器仍然是不同的。在同樣的運作頻率下,由于靜態隨機存取存儲器SRAM對稱的電路結構設計,使得每個記憶單元內所儲存的數值都能以比DRAM快的速率被讀取。除此之外,由于靜態隨機存取存儲器SRAM通常都被設計成一次就讀取所有的資料位元(Bit),比起高低位址的資料交互讀取的DRAM,在讀取效率上也快上很多。因此雖然,靜態隨機存取存儲器SRAM的生產成本比較高,但在需要高速讀寫資料的地方,如電腦上的快取(Cache),還是會使用靜態隨機存取存儲器SRAM。
目前,靜態隨機存取存儲器SRAM可以運行在極高的速率下,達到8ns一次讀寫操作,但是在嵌入式的設計中,由于處理器的速率低,使得SRAM的性能不能完全發揮出來,是硬件資源的一種極大的浪費。因此如何在處理器主頻不變的情況下,提高對SRAM的訪問速度,需要一個可行的解決方案。
FPGA是英文Field?Programmable?Gate?Array的縮寫,即現場可編程門陣列,它是在PAL、GAL、EPLD等可編程器件的基礎上進一步發展的產物。它是作為專用集成電路(ASIC)領域中的一種半定制電路而出現的,既解決了定制電路的不足,又克服了原有可編程器件門電路數有限的缺點。現場可編程門陣列FPGA采用了邏輯單元陣列LCA(LogIC?Cell?Array)這樣一個新概念,內部包括可配置邏輯模塊CLB(Configurable?Logic?BLOCk)、輸出輸入模塊IOB(InputOutput?Block)和內部連線(Interconnect)三個部分。現場可編程門陣列FPGA的基本特點主要有:1)采用現場可編程門陣列FPGA設計ASIC電路,用戶不需要投片生產,就能得到合用的芯片。2)現場可編程門陣列FPGA可做其它全定制或半定制ASIC電路的中試樣片。3)現場可編程門陣列FPGA內部有豐富的觸發器和I/O引腳。4)現場可編程門陣列FPGA是ASIC電路中設計周期最短、開發費用最低、風險最小的器件之一。5)現場可編程門陣列FPGA采用高速CHMOS工藝,功耗低,可以與CMOS、TTL電平兼容。可以說,現場可編程門陣列FPGA芯片是小批量系統提高系統集成度、可靠性的最佳選擇之一。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種用FPGA實現快速SRAM讀寫控制的裝置,它有效提高處理器對SRAM的訪問速度,從而提高系統的性能。
為了解決以上技術問題,本發明提供了一種用FPGA實現快速SRAM讀寫控制的裝置;包括:現場可編程門陣列FPGA,處理器對靜態隨機存取存儲器SRAM的控制端連接現場可編程門陣列FPGA;現場可編程門陣列FPGA連接靜態隨機存取存儲器SRAM;由現場可編程門陣列FPGA對處理器發來的讀寫控制信號做時序和邏輯控制,控制靜態隨機存取存儲器SRAM的讀寫。
本發明的有益效果在于:可以有效提高處理器對SRAM的訪問速度,從而提高系統的性能。
本發明還包括一種用FPGA實現快速SRAM讀寫控制的方法,包括以下步驟:
步驟一、現場可編程門陣列FPGA將處理器的寫信號/WE和讀信號/OE分別作一個相位的延時;
步驟二、然后現場可編程門陣列FPGA將原信號和相位延時后的信號進行邏輯與運算,得到一個新的寫信號/WE1和讀信號/OE1信號;
步驟三、將現場可編程門陣列FPGA將新的寫信號/WE1和讀信號/OE1信號發送給靜態隨機存取存儲器SRAM,作為讀寫信號。
其有益效果在于:現場可編程門陣列FPGA可以將信號有電平處理的比較短,用該信號控制SRAM的讀寫信號,從而提高了處理器對SRAM的訪問控制,而且還可以根據需要的不同對相位做不同的延時和邏輯運算,能得到不同速率的提高。
本發明還提供了一種用FPGA實現外部SRAM片內數據的DMA控制的方法,包括以下步驟:
步驟一、處理器需要發出直接內存訪問DMA控制的傳輸指令;
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