[發(fā)明專利]雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻及制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010275535.1
• 申請日: 2010-09-08
• 公開（公告）號: CN102403314A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭曉波;王永成;孟鴻林
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/77;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻，其特征在于：有源區(qū)邊墻形成于有源區(qū)的表面和周圍各側(cè)面上并實現(xiàn)對所述有源區(qū)的包覆，所述有源區(qū)邊墻的材料為抗反射材料，所述有源區(qū)邊墻的厚度滿足在后續(xù)工藝中對所述有源區(qū)周側(cè)的溝槽內(nèi)進(jìn)行離子注入時能夠阻擋離子注入到所述有源區(qū)中。

2.如權(quán)利要求1所述的雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻，其特征在于：所述抗反射材料為能夠降低光刻曝光時波長為436nm、365nm、248nm、和193nm的光源的光反射率的材料。

3.如權(quán)利要求2所述的雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻，其特征在于：所述抗反射材料的類型包括有機(jī)抗反射材料、無機(jī)抗反射材料、或有機(jī)抗反射材料和無機(jī)抗反射材料的組合。

4.如權(quán)利要求3所述的雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻，其特征在于：所述抗反射材料的類型要滿足和后續(xù)的光刻膠相匹配以及滿足能夠作為后續(xù)工藝中對所述有源區(qū)周側(cè)的溝槽內(nèi)進(jìn)行離子注入時的阻擋物的要求。

5.如權(quán)利要求4所述的雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻，其特征在于：所述光刻膠為正性光刻膠、或負(fù)性光刻膠。

6.一種雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在硅襯底上進(jìn)行場氧區(qū)的溝槽刻蝕形成有源區(qū)；

步驟二、在所述硅襯底上進(jìn)行抗反射材料生長；所述抗反射材料的厚度根據(jù)后續(xù)形成的有源區(qū)邊墻的厚度和寬度進(jìn)行選擇；

步驟三、使用各向異性的干法刻蝕方法回刻所述抗反射材料形成所述有源區(qū)邊墻；所述有源區(qū)邊墻的厚度滿足在后續(xù)工藝中對所述有源區(qū)周側(cè)的溝槽內(nèi)進(jìn)行離子注入時能夠阻擋離子注入到所述有源區(qū)中。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述抗反射材料為有機(jī)抗反射材料，步驟二中采用旋涂、烘烤的工藝在所述硅襯底上形成所述有機(jī)抗反射材料。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述抗反射材料為無機(jī)抗反射材料，步驟二中采用淀積的工藝在所述硅襯底上形成所述無機(jī)抗反射材料。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：步驟二中所述抗反射材料的厚度為500埃～10000埃。

10.如權(quán)利要求6所述的雙極CMOS工藝中的有源區(qū)邊墻，其特征在于：步驟二中所述抗反射材料為能夠降低光刻曝光時波長為436nm、365nm、248nm、和193nm的光源的光反射率的材料。