[發(fā)明專利]閃存裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010274077.X | 申請(qǐng)日： | 2010-09-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102385903A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 赤荻高尾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 宜揚(yáng)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C7/10 | 分類號(hào)： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 閃存 裝置 | ||
1.一種閃存裝置，其特征在于，所述閃存裝置包括：
多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)段，所述存儲(chǔ)區(qū)段的每一具有一區(qū)域低電壓線；以及
多個(gè)路徑晶體管，分別對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)段，所述路徑晶體管配置于所述存儲(chǔ)區(qū)段的排列方向上，所述路徑晶體管的其中之一配置于相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)區(qū)段之間，其一柵極連接于一區(qū)段選擇信號(hào)線，其一漏極連接于對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)區(qū)段的所述區(qū)域低電壓線，且其一源極連接于一全域低電壓線，其中所述全域低電壓線實(shí)質(zhì)上以90度的角度橫跨所述柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)區(qū)段具有多個(gè)字符線、多個(gè)全域位線與多個(gè)選擇信號(hào)線。
3.如權(quán)利要求2所述的閃存裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)區(qū)段具有以多個(gè)晶體管所組成的多個(gè)字符串與多個(gè)選擇晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的閃存裝置，其特征在于，所述閃存裝置實(shí)作于一基板，所述區(qū)域低電壓線與所述全域低電壓線配置于所述基板的不同層。
5.如權(quán)利要求2所述的閃存裝置，其特征在于，所述閃存裝置實(shí)作于一基板，所述字符線、所述選擇信號(hào)線配置于所述基板的第二層，所述區(qū)域低電壓線與所述全域低電壓線分別配置于所述基板的第一與第三層。
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