[發明專利]模型基板的使用方法

無效

• 申請號: 201010273812.5
• 申請日: 2010-08-30
• 公開（公告）號: CN102002681A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 宮下哲也;白坂賢治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C16/54;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及基板處理裝置中的模型基板的使用方法。

背景技術

在半導體裝置的制造工序中，有時對基板例如晶片利用CVD(Chemical?Vapor?Deposition)及PVD(Physical?Vapor?Deposition)進行成膜處理，這些處理例如在共用的輸送室內使用具備多個成膜處理模塊的系統即半導體制造裝置進行。

但是，在該半導體制造裝置中，為了對作為制品的晶片(稱為制品晶片)進行穩定的成膜處理，有時首先將試驗用晶片即模型晶片輸送到成模模塊，對該模型晶片進行成膜處理。其后，將成批的該制品晶片輸送到上述成模模塊對該制品晶片進行成膜處理。這樣，通過進行模型晶片的運用，可在對制品晶片執行處理之前使構成模塊的處理容器內的氛圍穩定。這樣，在對制品晶片進行處理之前，即使在開發階段進行各種實驗也使用模型晶片，通過對該模型晶片進行成膜處理而解析膜質及膜厚的面內分布，來進行成模模塊的各參數的最佳值的決定及硬件的改善等。

通過對模型晶片重復進行成膜處理，在其表面層疊膜。但是，當層疊膜時，因該膜的結晶性等的影響而對模型晶片施加應力，造成模型晶片的翹曲。雖然以周緣部比中央部高的方式發生的翹曲或者以中央部比周緣部高的方式發生的翹曲取決于成膜的膜的種類，但是，同一種膜的累積膜厚越大，則對模型晶片在同一方向施加的應力越大，翹曲量越大。

這樣，當模型晶片的翹曲量變大時，變成在各模塊中在吸附保持晶片的例如靜電卡盤上不能均勻地吸附模型晶片的整個面。于是，在進行CVD的成模模塊中成膜氣體蔓延到模型晶片的背面，而在進行PVD的成膜模塊中蔓延有從靶(タ一ゲツト)供給的原子。這樣，當模型晶片的背面蔓延有成膜氣體、原子時，由于對其背面進行成膜，因而產生顆粒，或者造成靜電卡盤的溫度不穩定。其結果是，對制品晶片的處理產生影響或者有可能不能進行正常實驗。另外，當翹曲的程度變大時，有時還在吸附時施加過大的力而造成模型晶片的破損。

為了抑制在這樣的靜電卡盤上的吸附不良，通常對模型晶片設定使用次數限制值，對使用次數達到該限制值的予以廢棄。該使用次數限制值通過測定將規定的膜連續層疊于模型晶片時的翹曲量(曲率)的預先實驗結果而決定的固定值。但是，當層疊與在該預先實驗中成膜的膜不同的種類的膜、不同膜厚的膜，或者層疊多種類型的膜時，在模型晶片的使用次數達到其限制值時翹曲量反而變小，實際上可以進行更多次數的膜的成膜，但卻將該模型晶片廢棄。根據這樣的情況，具備成膜模塊的系統需求可抑制模型晶片的翹曲量的運用方法。另外，專利文獻1記載了在裝置啟動后為了使該裝置的處理穩定，使用模型晶片進行處理，或者出于對在制品晶片上成膜的膜進行試驗的目的而對模型晶片進行成膜，但是沒有記載上述問題及其解決方法。

專利文獻1：日本特開平9-143674(段落0008、0013、0039)

發明內容

本發明是鑒于這樣的問題而設立的，其目的在于提供一種在可抑制模型基板的翹曲的基板處理中的模型基板的使用方法。

本發明提供一種模型基板的使用方法，在將對基板進行成膜處理的多個工藝室與基板輸送室連接的基板處理裝置中使用，其特征在于，包含：

從模型基板收納部取出模型基板，經由所述基板輸送室將其輸入到工藝室內，進行成膜處理的工序；

對收納于所述模型基板收納部的多個模型基板每一個，基于在工藝室進行的工藝制法通過計算機制作成含有成膜的膜的種類和膜厚的成膜履歷的工序；

利用按照膜的種類使膜厚和成膜引起的基板的曲率變化對應的曲率數據，基于該曲率數據和模型基板的所述成膜履歷，通過計算機求出該模型基板的曲率的工序；和

基于在所述工序求出的模型基板的曲率、曲率數據、包含在所述工藝室預定的成膜處理的膜的種類及膜厚的工藝規程，制作該模型基板向工藝室的輸送規程以抑制該模型基板的翹曲的工序。

另外，本發明另一方面提供一種模型基板的使用方法，在將對基板進行成膜處理的多個工藝室與基板輸送室連接的基板處理裝置中使用，其特征在于，包含：

從模型基板收納部取出模型基板，經由所述基板輸送室將其輸入到工藝室內，進行成膜處理的工序；

將收納于所述模型基板收納部的多個模型基板輸入到用于調整該模型基板的朝向的調整室內，通過翹曲檢測器對所述多個模型基板的每一個求出曲率的工序；和