[發明專利]TCP型半導體器件無效
| 申請號: | 201010273247.2 | 申請日: | 2010-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN102005429A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | 佐佐木卓;村上弘治 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/49 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tcp 半導體器件 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件及其測試方法。特別地,本發明涉及TCP(帶載封裝)型半導體器件及其測試方法。
背景技術
已知用于半導體器件的測試的探針卡。探針卡包括與測試對象的測試端子接觸的大量的探針。因此,通過下面所述進行測試:使探針中的每一個的尖端與對應的測試端子接觸,將來自于測試儀的測試信號通過探針卡提供給測試對象,并且獲得來自于測試對象的輸出的信號。同時,為了防止短路故障,要求使探針與對應的測試端子精確地接觸。
另一方面,近年來,由于半導體器件的小型化和端子的數目的增加導致測試端子之間的節距變得更窄。因此,要求探針卡對應于測試端子之間的節距的變窄。例如,預計的是,隨著測試端子之間的節距的變窄,減少探針卡的相鄰的探針的尖端之間的節距。然而,由于必須確保相鄰的探針之間的絕緣性質,所以存在對于減少探針的尖端之間的節距的限制。因此,已經提出在多行中分布探針的尖端位置。因此,能夠確保探針之間的絕緣性質并且減少探針的尖端之間的實際節距。因此,能夠對應于測試端子之間的節距的變窄。例如,在專利文獻1、2以及3中公布了具有此種探針圖案的探針卡。
還已知TCP(帶載封裝)型半導體器件。對于TCP型半導體器件,半導體芯片被安裝在諸如TAB(卷帶自動焊接)帶的基膜上。TCP型半導體器件還包括通常被稱為COF(覆晶薄膜)的膜。
圖1是示意性地示出在專利文獻4中公布的TCP型半導體器件的平面圖。在圖1中,半導體芯片120被安裝在基膜(載帶)110上。多條引線130和多個接觸焊盤140也被形成在基膜110上。多條引線130中的每一條將多個接觸焊盤140中的對應的一個電氣地連接至半導體芯片120。
更加具體地,如圖1中所示,阻焊劑SR被形成為部分地覆蓋引線130中的每一條。阻焊劑SR是施加在引線130上的樹脂,并且用于電氣地絕緣引線130并且減少諸如腐蝕的化學應力和通過外力施加給引線130的物理應力。形成在沒有形成阻焊劑SR的區域中的引線130用作可電氣地連接至外部的端子,并且此區域變成端子區域。半導體芯片120被安裝在沒有形成阻焊劑SR的中心端子區域上,并且在安裝之后執行樹脂密封。另一方面,沒有形成阻焊劑SR的外端子區域是外部端子區域并且被電氣地連接至接觸焊盤140。
接觸焊盤140是在半導體器件的測試中使用的測試端子并且位于基膜110上的預定的區域(焊盤布局區域RP)中。換言之,在半導體器件的測試中,探針卡的探針與焊盤布局區域RP中的接觸焊盤140接觸。因此,測試信號通過接觸焊盤140和引線130提供給半導體芯片120,并且從半導體芯片120獲得輸出信號。應注意的是,在這里使用的探針卡也具有其中探針的尖端位置被分布到多行的探針圖案。對應于此探針圖案,接觸焊盤140被分布地位于多行中,如圖1中所示。
在圖1中,基膜110的寬度方向和延伸方向分別沿著x方向和y方向。沿著y方向重復地形成圖1中所示的結構。在測試完成之后,當一個接一個地切割半導體芯片120時,沿著圖1中的虛線所示的切割線CL切割基膜110和多條引線130。同時,焊盤布局區域RP內的接觸焊盤140保留在基膜110上。
引用列表:
[專利文獻1]:JP-A-Heisei?8-94668
[專利文獻2]:JP-A-Heisei?8-222299
[專利文獻3]:JU-A-Heisei?4-5643
[專利文獻4]:JP?2004-356339A
發明內容
近年來,半導體芯片中的端子的數目增加并且在測試期間提供給半導體芯片的測試信號的數目和從半導體芯片輸出的信號的數目也增加。這意味著在圖1中所示的TCP型半導體器件中的接觸焊盤140的數目增加。接觸焊盤140的數目的增加引起焊盤布局區域PR的增加,即,基膜110的寬度和長度的增加。結果,TCP型半導體器件的制造成本增加。因此,需要能夠減少TCP型半導體器件的制造成本的技術。
本發明的主題是提供一種TCP型半導體器件,其中能夠減少制造成本。
在本發明的一個方面,TCP型半導體器件包括:基膜;半導體芯片,該半導體芯片安裝在基膜上;以及多條引線,所述多條引線形成在基膜上并且與半導體芯片電氣地連接。多條引線中的每一條具有在外部暴露的外部端子部分。每條引線的外部端子部分包括:具有第一厚度的第一部分;和具有比第一厚度薄的第二厚度的第二部分。第一部分和第二部分被布置為在多條引線中的相鄰的兩條之間彼此相對。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞薩電子株式會社,未經瑞薩電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010273247.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:連續鑄造用浸入式水口
- 下一篇:電站凝汽器間接空冷全自動清洗裝置





