[發(fā)明專利]集成電路裝置、存儲(chǔ)裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010273138.0
• 申請(qǐng)日: 2010-09-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102005458A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘瑞彧;黃仲仁;沈明輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L29/06;H01L21/8247
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種存儲(chǔ)裝置，包括：

一半導(dǎo)體基板；

至少一浮置柵結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)垂直側(cè)壁且包括：

一浮置柵，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板之上；

一第一介電層，設(shè)置于該浮置柵之上；

一控制柵，設(shè)置于該第一介電層之上；

至少一介電層，設(shè)置于該控制柵之上；

一第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，設(shè)置于該至少一浮置柵結(jié)構(gòu)的所述多個(gè)垂直側(cè)壁的一源極側(cè)側(cè)壁以及一漏極側(cè)側(cè)壁之上；以及

一第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，設(shè)置于位于該浮置柵結(jié)構(gòu)的該源極側(cè)側(cè)壁上的該第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層之上。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，還包括一共用源極區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基板內(nèi)且鄰近于該浮置柵結(jié)構(gòu)的該源極側(cè)側(cè)壁，該共用源極區(qū)具有鄰近該源極側(cè)側(cè)壁的一第一側(cè)以及相對(duì)的一第二側(cè)。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置，還包括：

一第二浮置柵結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板之上且鄰近于該源極區(qū)的該第二側(cè)，該第二浮置柵結(jié)構(gòu)包括：

一第二浮置柵，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板之上；

一第四介電層，設(shè)置于該浮置柵之上；

一控制柵，設(shè)置于該第四介電層之上；

至少一介電層，設(shè)置于該控制柵之上；

一第三對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，設(shè)置于該第二浮置柵結(jié)構(gòu)的所述多個(gè)垂直側(cè)壁的一源極側(cè)側(cè)壁與一漏極側(cè)側(cè)壁之上；以及

一第四非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，設(shè)置于該第三對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層之上，且僅位于該第二浮置柵結(jié)構(gòu)的該漏極側(cè)側(cè)壁之上。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中該第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層包括一氮化硅層，且還包括一穿隧氧化物層，設(shè)置于該第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層之上，而該穿隧氧化物層包括一高溫氧化物層。

5.一種集成電路裝置，包括：

一半導(dǎo)體基板；

至少一對(duì)浮置柵存儲(chǔ)單元，形成于鄰近該半導(dǎo)體基板內(nèi)的一共用源極區(qū)，所述多個(gè)浮置柵存儲(chǔ)單元分別包括：

至少一浮置柵結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)垂直側(cè)壁且包括：

一浮置柵，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板之上；

一第一介電層，設(shè)置于該浮置柵之上；

一控制柵，設(shè)置于該第一介電層之上；

至少一介電層，設(shè)置于該控制柵之上；

一第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，設(shè)置于該至少一浮置柵結(jié)構(gòu)的所述多個(gè)垂直側(cè)壁的一源極側(cè)側(cè)壁以及一漏極側(cè)側(cè)壁之上；以及

一第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，設(shè)置于位于該浮置柵結(jié)構(gòu)的該源極側(cè)側(cè)壁上的該第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層之上。

6.如權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，還包括一穿隧氧化物層，設(shè)置于位于該浮置柵結(jié)構(gòu)的該源極側(cè)側(cè)壁上的該第一對(duì)稱側(cè)壁介電層之上。

7.如權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其中該第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層包括一氮化物層，而該第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層包括一氮化硅層。

8.一種存儲(chǔ)裝置的制造方法，包括：

提供一半導(dǎo)體基板：

定義一源極區(qū)于該半導(dǎo)體基板之上；

形成鄰近該源極區(qū)且具有多個(gè)垂直側(cè)壁的至少一浮置柵結(jié)構(gòu)，鄰近該源極區(qū)的所述多個(gè)垂直側(cè)壁形成了一源極側(cè)側(cè)壁，而遠(yuǎn)離該源極區(qū)的該垂直側(cè)壁形成了一漏極側(cè)側(cè)壁，該至少一浮置柵結(jié)構(gòu)包括一浮置柵、位于該浮置柵上的一介電層、位于該介電層上的一控制柵，以及位于該控制柵上的至少一介電層；

形成一第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層于該浮置柵結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體基板之上，且位于該源極側(cè)側(cè)壁與該漏極側(cè)側(cè)壁之上；

圖案化一光致抗蝕劑層于該第一非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層之上；

自該半導(dǎo)體基板處移除該第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，而于該源極側(cè)與該浮置柵結(jié)構(gòu)的該漏極側(cè)側(cè)壁上仍存在有該第一對(duì)稱側(cè)壁介電層；

形成一第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層于該第一浮置柵結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體基板之上；

圖案化一第二光致抗蝕劑層于該浮置柵結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體基板之上；以及

自該浮置柵結(jié)構(gòu)的該源極側(cè)側(cè)壁與該半導(dǎo)體基板處移除該第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層，而于該漏極側(cè)側(cè)壁上留下該第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)裝置的制造方法，其中形成一第一對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層包括沉積一氮化硅層，而形成一第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層包括沉積氮化硅層。

10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置的制造方法，其中形成一第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層包括沉積一蝕刻停止層以及沉積氮化硅層于該蝕刻停止層之上，而自該浮置柵結(jié)構(gòu)的該源極側(cè)側(cè)壁與該半導(dǎo)體基板處移除該第二非對(duì)稱垂直側(cè)壁介電層包括實(shí)施一選擇性蝕刻以移除該氮化硅層并停止該選擇性蝕刻于該蝕刻停止層上。