[發(fā)明專利]雙面圖形芯片正裝先鍍后刻模組封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010273016.1 | 申請日: | 2010-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN101969032A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王新潮;梁志忠 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/48 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 圖形 芯片 正裝先鍍后刻 模組 封裝 方法 | ||
(一)技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻模組封裝方法。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
(二)背景技術(shù)
傳統(tǒng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方式是:采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層后,即完成引線框的制作(如圖85所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進(jìn)行蝕刻。該法存在以下不足:
因為塑封前只在金屬基板正面進(jìn)行了半蝕刻工作,而在塑封過程中塑封料只有包裹住引腳半只腳的高度,所以塑封體與引腳的束縛能力就變小了,如果塑封體貼片到PCB板上不是很好時,再進(jìn)行返工重貼,就容易產(chǎn)生掉腳的問題(如圖86所示)。尤其塑封料的種類是采用有填料時候,因為材料在生產(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼裝的應(yīng)力變化關(guān)系,會造成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫,其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產(chǎn)生裂縫。
另外,由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn),金屬線的長度較長,如圖87~88所示,金屬線成本較高(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線);同樣由于金屬線的長度較長,使得芯片的信號輸出速度較慢(尤其是存儲類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計算,更為突出);也同樣由于金屬線的長度較長,所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對信號的干擾也較高;再由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn),使得封裝的體積與面積較大,材料成本較高,廢棄物較多。
(三)發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足,提供一種不會再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬線的長度縮短的雙面圖形芯片正裝先鍍后刻模組封裝方法。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:一種雙面圖形芯片正裝模組引線框,所述方法包括以下工藝步驟:
步驟一、取金屬基板
取一片厚度合適的金屬基板,
步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜
利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜,以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè),
步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開窗
利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域,
步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆
對步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層電鍍被覆,該第一金屬層置于所述基島與引腳的正面,
步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜
將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除,
步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜
利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜,以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè),
步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗
利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜,以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板背面蝕刻作業(yè),
步驟八、金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)
完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后,即在金屬基板的背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè),蝕刻出基島和引腳的背面,同時將引腳正面盡可能的延伸到基島旁邊,
步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜
將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除,
步驟十、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)
將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè),并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè),使基島和引腳外圍的區(qū)域、引腳與基島之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂),該無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)將基島和引腳下部外圍、引腳下部與基島下部以及引腳下部與引腳下部連接成一體,
步驟十一、被覆光阻膠膜
利用被覆設(shè)備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜,以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè),
步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗
利用曝光顯影設(shè)備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜,以備后續(xù)需要進(jìn)行金屬基板正面蝕刻作業(yè),
步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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