[發明專利]雙面圖形芯片正裝先鍍后刻模組封裝方法

有效

• 申請號: 201010273016.1
• 申請日: 2010-09-04
• 公開（公告）號: CN101969032A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/48
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻模組封裝方法，其特征在于：所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

取一片厚度合適的金屬基板，

步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜

利用被覆設備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的光阻膠膜，以保護后續的電鍍金屬層工藝作業，

步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進行需要電鍍金屬層區域的曝光/顯影以及開窗

利用曝光顯影設備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業的金屬基板正面進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍金屬層的區域，

步驟四、金屬基板正面已開窗的區域進行金屬層電鍍被覆

對步驟三中金屬基板正面已開窗的區域進行第一金屬層電鍍被覆，該第一金屬層置于所述基島與引腳的正面，

步驟五、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜

將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，

步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜

利用被覆設備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的光阻膠膜，以保護后續的蝕刻工藝作業，

步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進行需要蝕刻區域的曝光/顯影以及開窗

利用曝光顯影設備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業的金屬基板背面進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續需要進行的金屬基板背面蝕刻作業，

步驟八、金屬基板進行背面蝕刻作業

完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業后，即在金屬基板的背面進行各圖形的蝕刻作業，蝕刻出基島和引腳的背面，同時將引腳正面盡可能的延伸到基島旁邊，

步驟九、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜

將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除，

步驟十、包封無填料的塑封料

將已完成步驟九所述去膜作業的金屬基板背面進行包封無填料的塑封料作業，并進行塑封料包封后的固化作業，使基島和引腳外圍的區域、引腳與基島之間的區域以及引腳與引腳之間的區域均嵌置無填料的塑封料，該無填料的塑封料將基島和引腳下部外圍、引腳下部與基島下部以及引腳下部與引腳下部連接成一體，

步驟十一、被覆光阻膠膜

利用被覆設備在將已完成包封無填料塑封料作業的金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的光阻膠膜，以保護后續的蝕刻工藝作業，

步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業的金屬基板的正面進行需要蝕刻區域的曝光/顯影以及開窗

利用曝光顯影設備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業的已完成包封無填料塑封料作業的金屬基板正面進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續需要進行金屬基板正面蝕刻作業，

步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業

完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業后，即在完成包封無填料塑封料作業的金屬基板正面進行各圖形的蝕刻作業，蝕刻出基島和引腳的正面，且使所述基島和引腳的背面尺寸小于基島和引腳的正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結構，

步驟十四、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜

將完成步驟十三蝕刻作業的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，制成引線框，

步驟十五、裝片

在基島正面第一金屬層上通過導電或不導電粘結物質進行芯片的植入，

步驟十六、打金屬線

將已完成芯片植入作業的半成品進行芯片正面與引腳正面第一金屬層之間打金屬線作業，

步驟十七、包封有填料塑封料

將已打線完成的半成品正面進行包封有填料塑封料作業，并進行塑封料包封后的固化作業，使基島和引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料包封，

步驟十八、基島和引腳的背面進行金屬層電鍍被覆

對已完成步驟十七包封有填料塑封料作業的所述基島和引腳的背面進行第二金屬層電鍍被覆作業，

步驟十九、切割成品

將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進行切割作業，使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨立開來，制得雙面圖形芯片正裝模組封裝結構成品。

2.根據權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻模組封裝方法，其特征在于基島(1)背面露出所述無填料的塑封料(3)。

3.根據權利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻模組封裝方法，其特征在于基島(1)正面中央區域下沉。