[發(fā)明專利]半穿透半反射式液晶顯示面板及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010271914.3
• 申請日: 2010-09-04
• 公開（公告）號: CN101957515A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 黃凱泓;王麗雯
• 申請（專利權）人: 福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1335;H01L21/77
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

技術領域

本發(fā)明是關于一種半穿透半反射式液晶顯示面板及其制作方法，尤指一種減少光罩制作過程的半穿透半反射式液晶顯示面板及其制作方法。

背景技術

液晶顯示面板依據(jù)光源的不同，可區(qū)分為穿透式、反射式、及半穿透半反射式等三種。半反射半穿透液晶顯示面板是結(jié)合穿透式與反射式液晶顯示面板之優(yōu)點，用以兼顧在戶外強光環(huán)境與室內(nèi)環(huán)境下的顯示質(zhì)量。另外，半穿透半反射式液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)，可以參閱美國專利編號US?7245335?B2。其中，為了達到反射效果，至少需要一道光罩制作過程來制作反射金屬層，再者，需要額外的光罩制作過程來形成反射凸塊，以增加反射效果。據(jù)此，相較于穿透式液晶顯示器的制作過程，半反射半穿透液晶顯示器的制作過程需要較多的光罩制作過程。

更明確地說，已知半穿透半反射式液晶顯示面板的制作過程，一般需要至少八道光罩制作過程。舉例來說，利用第一道光罩制作過程來制作閘極電極(gate?electrode)、利用第二道光罩制作過程來制作半導體層(semiconductor?layer)、利用第三道光罩制作過程來制作源極(source?electrode)與汲極(drain?electrode)、利用第四道光罩制作過程來制作穿透電極(pixel?electrode)、利用第五道光罩制作過程來制作樹脂開口(resin?open)、利用第六道光罩制作過程來制作樹脂凸塊(resin?bump)、利用第七道光罩制作過程來制作接觸開口(contact?hole)、利用第八道光罩制作過程來制作反射電極(reflective?electrode)，以形成半穿透半反射式液晶顯示面板。由于每一道光罩制作過程，均須包括諸如沉積、清潔、曝光、顯影、蝕刻、光阻剝離和檢查等眾多步驟。因此，已知半穿透半反射式液晶顯示面板具有制作過程復雜、產(chǎn)能難以有效提升，以及高制造成本的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的之一在于提供一種半穿透半反射式液晶顯示面板及其制作方法，以解決已知技術所面臨的問題。

本發(fā)明的一較佳實施例提供一種半穿透半反射式液晶顯示面板之制作方法，包括下列步驟。首先，提供一基板，其中基板具有至少一畫素區(qū)，且畫素區(qū)定義有一組件區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)。接著，于基板上形成一第一圖案化導電層，以于組件區(qū)內(nèi)形成一閘極電極，且于反射區(qū)內(nèi)形成一反射電極。之后，于第一圖案化導電層與基板上形成一第一絕緣層，再于第一絕緣層上形成一圖案化半導體層，其中圖案化半導體層大體上對應閘極電極。隨后，于第一絕緣層與圖案化半導體層上形成一第二圖案化導電層，以于組件區(qū)內(nèi)形成一源極電極與一汲極電極，且于反射區(qū)內(nèi)形成一圖案化反射層。接下來，于第二圖案化導電層與第一絕緣層上形成一第二絕緣層。再者，于第二絕緣層中形成至少一第一接觸孔，且于第二絕緣層和第一絕緣層中形成至少一第二接觸孔，并于第二絕緣層中形成至少一第三接觸孔，其中第一接觸孔暴露出部分汲極電極，第二接觸孔暴露出部分反射電極，且第三接觸孔暴露出部分圖案化反射層。然后，于第二絕緣層上形成至少一穿透電極，其中穿透電極設置于穿透區(qū)、部分反射區(qū)與部分組件區(qū)內(nèi)，且穿透電極填入第一接觸孔、第二接觸孔、與第三接觸孔中，以分別與汲極電極、反射電極、與圖案化反射層電性連接。

本發(fā)明的一較佳實施例提供一種半穿透半反射式液晶顯示面板。上述半穿透半反射式液晶顯示面板包括一基板、一第一圖案化導電層、一第一絕緣層、一圖案化半導體層、一第二圖案化導電層、一第二絕緣層、以及至少一穿透電極。基板具有至少一畫素區(qū)，且畫素區(qū)定義有一組件區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)。第一圖案化導電層是設置于基板上，其中第一圖案化導電層至少包括一閘極電極與一反射電極，且閘極電極設置于組件區(qū)內(nèi)，而反射電極設置于反射區(qū)內(nèi)。第一絕緣層是設置于第一圖案化導電層與基板上，而圖案化半導體層是設置于第一絕緣層上，且圖案化半導體層大體上對應閘極電極。第二圖案化導電層是設置于第一絕緣層與圖案化半導體層上，其中第二圖案化導電層至少包括一源極電極、一汲極電極與一圖案化反射層，且源極電極與汲極電極設置于組件區(qū)內(nèi)，而圖案化反射層設置于反射區(qū)內(nèi)。第二絕緣層是設置于第二圖案化導電層與第一絕緣層上，其中第二絕緣層具有一第一接觸孔以暴露出部分汲極電極，第二絕緣層和第一絕緣層具有一第二接觸孔以暴露出部分反射電極，且第二絕緣層具有一第三接觸孔以暴露出部分圖案化反射層。再者，穿透電極是設置于第二絕緣層上，其中穿透電極設置于穿透區(qū)、部分反射區(qū)與部分組件區(qū)內(nèi)，且穿透電極是填入于第一接觸孔、第二接觸孔、與第三接觸孔中，以分別與汲極電極、反射電極、與圖案化反射層電性連接。