[發明專利]半穿透半反射式液晶顯示面板及其制作方法無效
| 申請號: | 201010271914.3 | 申請日: | 2010-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN101957515A | 公開(公告)日: | 2011-01-26 |
| 發明(設計)人: | 黃凱泓;王麗雯 | 申請(專利權)人: | 福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1333 | 分類號: | G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1335;H01L21/77 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學俊 |
| 地址: | 350015 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 穿透 反射 液晶顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種半穿透半反射式液晶顯示面板之制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板,該基板具有至少一畫素區,且該畫素區定義有一組件區、一穿透區與一反射區;
于該基板上形成一第一圖案化導電層,以于該組件區內形成一閘極電極,且于該反射區內形成一反射電極;
于該第一圖案化導電層與該基板上形成一第一絕緣層;
于該第一絕緣層上形成一圖案化半導體層,其中該圖案化半導體層大體上對應該閘極電極;
于該第一絕緣層與該圖案化半導體層上形成一第二圖案化導電層,以于該組件區內形成一源極電極與一汲極電極,且于該反射區內形成一圖案化反射層;
于該第二圖案化導電層與該第一絕緣層上形成一第二絕緣層;
于該第二絕緣層中形成至少一第一接觸孔,且于該第二絕緣層和該第一絕緣層中形成至少一第二接觸孔,并于該第二絕緣層中形成至少一第三接觸孔,其中該第一接觸孔暴露出部分該汲極電極,該第二接觸孔暴露出部分該反射電極,且該第三接觸孔暴露出部分該圖案化反射層;以及
于該第二絕緣層上形成至少一穿透電極,其中該穿透電極設置于該穿透區、部分該反射區與部分該組件區內,且該穿透電極填入該第一接觸孔、該第二接觸孔、與該第三接觸孔中,以分別與該汲極電極、該反射電極、與該圖案化反射層電性連接。
2.根據權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示面板之制作方法,其特征在于:該圖案化反射層包括復數個反射凸塊。
3.根據權利要求2所述的半穿透半反射式液晶顯示面板之制作方法,其特征在于:該等反射凸塊是彼此電性連接。
4.根據權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示面板之制作方法,其特征在于:該第二圖案化導電層另外包括至少一獨立凸塊,設置于該反射區內,且該獨立凸塊并未與該圖案化反射層電性連接。
5.根據權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示面板之制作方法,其特征在于:該第一圖案化導電層另外包括一儲存電容電極,設置于該組件區內。
6.一種半穿透半反射式液晶顯示面板,包括:
一基板,該基板具有至少一畫素區,且該畫素區定義有一組件區、一穿透區與一反射區;
一第一圖案化導電層,設置于該基板上,其中該第一圖案化導電層至少包括一閘極電極與一反射電極,且該閘極電極設置于該組件區內,而該反射電極設置于該反射區內;
一第一絕緣層,設置于該第一圖案化導電層與該基板上;
一圖案化半導體層,設置于該第一絕緣層上,其中該圖案化半導體層大體上對應該閘極電極;
一第二圖案化導電層,設置于該第一絕緣層與該圖案化半導體層上,其中該第二圖案化導電層至少包括一源極電極、一汲極電極與一圖案化反射層,且該源極電極與該汲極電極設置于該組件區內,而該圖案化反射層設置于該反射區內;
一第二絕緣層,設置于該第二圖案化導電層與該第一絕緣層上,其中該第二絕緣層具有一第一接觸孔以暴露出部分該汲極電極,該第二絕緣層和該第一絕緣層具有一第二接觸孔以暴露出部分該反射電極,且該第二絕緣層具有一第三接觸孔以暴露出部分該圖案化反射層;以及
至少一穿透電極,設置于該第二絕緣層上,其中該穿透電極設置于該穿透區、部分該反射區與部分該組件區內,且該穿透電極是填入于該第一接觸孔、該第二接觸孔、與該第三接觸孔中,以分別與該汲極電極、該反射電極、與該圖案化反射層電性連接。
7.根據權利要求6所述的半穿透半反射式液晶顯示面板,其特征在于:該圖案化反射層包括復數個反射凸塊。
8.根據權利要求7所述的半穿透半反射式液晶顯示面板,其特征在于:該等反射凸塊是彼此電性連接。
9.根據權利要求6所述的半穿透半反射式液晶顯示面板,其特征在于:該第二圖案化導電層另外包括至少一獨立凸塊,設置于該反射區內,且該獨立凸塊并未與該圖案化反射層電性連接。
10.根據權利要求6所述的半穿透半反射式液晶顯示面板,其特征在于:該第一圖案化導電層另外包括一儲存電容電極,設置于該組件區內。
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