[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010271305.8
• 申請(qǐng)日: 2010-09-01
• 公開（公告）號(hào): CN101964309A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳嘉祥;洪銘欽;涂峻豪;林威廷;張鈞杰;陳伯綸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一柵極；

于該基板上依序形成一柵絕緣層、一氧化物半導(dǎo)體層以及一紫外光遮蔽材料層，以覆蓋該柵極；

于該柵極上方的該紫外光遮蔽材料層上形成一第一圖案化光刻膠層；

以該第一圖案化光刻膠層為掩模，圖案化該氧化物半導(dǎo)體層以及該紫外光遮蔽材料層，以于該紫外光遮蔽材料層下方形成一氧化物通道層；

移除部分該第一圖案化光刻膠層，以形成一第二圖案化光刻膠層，其中該第二圖案化光刻膠層暴露出部分該紫外光遮蔽材料層；

以該第二圖案化光刻膠層為掩模，圖案化該紫外光遮蔽材料層，以于該氧化物通道層的部分區(qū)域上形成一紫外光遮蔽圖案；

移除該第二圖案化光刻膠層；以及

于該氧化物通道層以及該紫外光遮蔽圖案上形成彼此電性絕緣的一源極與一漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一圖案化光刻膠層包括一第一部分以及一第二部分，該第一部分的厚度大于該第二部分的厚度，形成該第二圖案化光刻膠層的方法包括移除該第一部分與該第二部分，直到該第二部分被完全移除，而未被完全移除的該第一部分構(gòu)成該第二圖案化光刻膠層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在形成該紫外光遮蔽圖案之后以及移除該第二圖案化光刻膠層之前，更包括對(duì)未被該第二圖案化光刻膠層覆蓋的該氧化物通道層進(jìn)行處理，以使未被該第二圖案化光刻膠層覆蓋的該氧化物通道層具有歐姆接觸層的特性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，移除部分該第一圖案化光刻膠層的方法包括灰化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該紫外光遮蔽材料層的材質(zhì)包括氧化鈦或富硅氧化硅。

6.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一柵極；

于該基板上依序形成一柵絕緣層、一第一紫外光遮蔽材料層、一氧化物半導(dǎo)體層以及一第二紫外光遮蔽材料層，以覆蓋該柵極；

于該柵極上方的該第二紫外光遮蔽材料層上形成一第一圖案化光刻膠層；

以該第一圖案化光刻膠層為掩模，圖案化該第二紫外光遮蔽材料層、該氧化物半導(dǎo)體層以及該第一紫外光遮蔽材料層，以于該第二紫外光遮蔽材料層下方形成形成一氧化物通道層以及一第一紫外光遮蔽圖案；

移除部分該第一圖案化光刻膠層，以形成一第二圖案化光刻膠層，其中該第二圖案化光刻膠層暴露出部分該第二紫外光遮蔽材料層；

以該第二圖案化光刻膠層為掩模，圖案化該第二紫外光遮蔽材料層，以于該氧化物通道層的部分區(qū)域上形成一第二紫外光遮蔽圖案；

移除該第二圖案化光刻膠層；以及

于該氧化物通道層以及該第二紫外光遮蔽圖案上形成彼此電性絕緣的一源極與一漏極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一圖案化光刻膠層包括一第一部分以及一第二部分，該第一部分的厚度大于該第二部分的厚度，形成該第二圖案化光刻膠層的方法包括移除該第一部分與該第二部分，直到該第二部分被完全移除，而未被完全移除的該第一部分構(gòu)成該第二圖案化光刻膠層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在形成該第二紫外光遮蔽圖案之后以及移除該第二圖案化光刻膠層之前，更包括對(duì)未被該第二圖案化光刻膠層覆蓋的該氧化物通道層進(jìn)行處理，以使未被該第二圖案化光刻膠層覆蓋的該氧化物通道層具有歐姆接觸層的特性。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，移除部分該第一圖案化光刻膠層的方法包括灰化。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一紫外光遮蔽材料層的材質(zhì)包括氧化鈦或富硅氧化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第二紫外光遮蔽材料層的材質(zhì)包括氧化鈦或富硅氧化硅。