[發明專利]一種同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的工藝

有效

• 申請號: 201010271195.5
• 申請日: 2010-09-01
• 公開（公告）號: CN102386131A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 劉正超
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/76
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，該工藝步驟包括：提供至少一個第一類型的第一阱區，用于制作DDMOS器件；提供至少一個第一類型的第二阱區，用于制作LDMOS器件；每一所述第一阱區和第二阱區均包括與第一類型相反的兩個注入區，其特征在于，還包括以下步驟：

將所述制作DDMOS器件區域用掩膜保護，同時對所述制作LDMOS器件區域的所述注入區刻蝕形成淺溝槽；在所述淺溝槽形成內襯氧化層；對所述制作DDMOS器件的區域和所述制作LDMOS器件的區域退火形成漂移區。

2.根據權利要求1所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述注入區由擴散或者離子注入形成。

3.根據權利要求1所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述第一類型為P型，并且第二類型為N型。

4.根據權利要求1所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，在所述注入區刻蝕形成淺溝槽的步驟中所述刻蝕工藝為STI刻蝕。

5.根據權利要求4所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，在所述注入區刻蝕形成淺溝槽的同時，所述DDMOS器件區和所述LDMOS器件區刻蝕形成STI隔離槽。

6.根據權利要求4所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述淺溝槽在注入區的深度為0.2微米至0.5微米，其具體深度依據預定調節的所述LDMOS漂移區濃度而定。

7.根據權利要求1所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述注入區載流子濃度為1×10¹⁶/cm³至1×10¹⁸/cm³。

8.根據權利要求1所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述DDMOS器件區的漂移區載流子濃度為5×10¹⁶/cm³至1×10¹⁸/cm³。

9.根據權利要求1所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述LDMOS器件區的漂移區載流子濃度1×10¹⁶/cm³至1×10¹⁷/cm³。

10.根據權利要求1所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述LDMOS器件區至少形成兩個淺溝槽。

11.根據權利要求10所述的同時實現DDMOS和LDMOS漂移區的制作工藝，其特征在于，所述淺溝槽位于所述LDMOS器件區的注入區，且保證至少一個所述淺溝槽位于在所述LDMOS器件區的柵極和漏極之間，至少一個所述淺溝槽位于所述LDMOS器件區的柵極和源極之間。