[發明專利]大豆非組織培養植株再生方法及其應用

無效

• 申請號: 201010270559.8
• 申請日: 2010-09-01
• 公開（公告）號: CN101946623A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 單志慧;沙愛華;陳海峰;陳李淼;郝青南;孫佃臣;田星星;周新安
• 申請（專利權）人: 中國農業科學院油料作物研究所
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;任鳳華

1.一種獲得植物再生植株的方法，包括如下步驟：

將植物苗的頂芽去除，再沿子葉接縫處平分縱切下胚軸，將1個植物苗一分為二，分別作為外植體，每個外植體在子葉節處均具有1片子葉和1個腋芽；將外植體進行培養，得到植物再生植株；

所述植物苗為具有如下結構的苗：在子葉節處具有2片子葉及2個腋芽，子葉節之上部分為頂芽和上胚軸，子葉節之下部分為根和下胚軸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述將頂芽去除的位置是從所述子葉節處除去；

在所述培養植物再生植株的方法中，所述將植物苗的頂芽去除和所述再沿子葉接縫處平分縱切下胚軸的步驟間還包括將所述植物苗的根去除的步驟，所述植物苗的根去除位置是自所述子葉節處下數2cm-3cm處；所述將根去除的位置具體為自子葉節處下數2cm、2.5cm或3cm處。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述將外植體進行培養的方法包括如下步驟：將外植體的子葉節以下部分均埋入基質中，再進行培養，得到再生植株幼苗；

所述基質為無菌蛭石；

所述培養的條件包括溫度為24℃-26℃，光照條件為每天14小時-18小時光照/10小時-6小時黑暗，光照強度為100μmol/m²/s-140μmol/m²/s，濕度為60％-90％。

4.根據權利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述溫度為24℃、25℃或26℃，所述光照條件為每天14小時光照/10小時黑暗、16小時光照/8小時黑暗或18小時光照/6小時黑暗，所述光照強度為100μmol/m²/s、120μmol/m²/s或140μmol/m²/s，所述濕度為60％、80％或90％。

5.根據權利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述培養的時間為20天-30天。

6.根據權利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述培養的時間為20天、25天或30天。

7.根據權利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于：所述植物為雙子葉植物，所述雙子葉植物優選為豆科植物，尤其優選為大豆。

8.權利要求1-7中任一所述的方法在植物的遺傳育種中的應用。