[發(fā)明專利]一種多晶硅摻雜工藝中擋片處理的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010270515.5
• 申請(qǐng)日: 2010-09-01
• 公開（公告）號(hào): CN102386074A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王冬梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/223
• 分類號(hào): H01L21/223
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種多晶硅摻雜工藝中擋片處理的方法，其特征在于，該方法包括：

在放置多晶硅產(chǎn)品和擋片的反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行摻雜反應(yīng)，其中所述摻雜反應(yīng)為將雜質(zhì)元素?fù)诫s到多晶硅產(chǎn)品中的反應(yīng)；

在摻雜反應(yīng)后，判斷擋片的使用次數(shù)是否大于第一閾值；

在擋片的使用次數(shù)不大于第一閾值時(shí)，用氫氟酸清洗擋片上含雜質(zhì)元素的氧化硅。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在擋片的使用次數(shù)大于第一閾值時(shí)，更換反應(yīng)室內(nèi)的擋片。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)元素是磷，摻雜反應(yīng)中的摻雜源為氣態(tài)的三氯氧磷；

所述雜質(zhì)元素是硼，摻雜反應(yīng)中的摻雜源為氣態(tài)的三溴化硼。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行摻雜反應(yīng)的擋片為表面長有氧化硅的硅片。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述表面長有氧化硅的硅片是根據(jù)下列方法得到的：

將氧氣通入放置硅片的反應(yīng)室。

6.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述擋片表面生長的氧化硅的厚度為1微米～2微米。

7.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述含雜質(zhì)元素的氧化硅厚度為0.12微米～0.15微米，所述氫氟酸是稀釋比為1∶10的氫氟酸，清洗擋片時(shí)間為60秒。

8.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述擋片在清洗次數(shù)達(dá)到第二閾值后，將擋片表面的氧化硅全部剝掉，將剝掉氧化硅的擋片放入反應(yīng)室后通入氧氣，重新生長氧化硅。