[發明專利]半導體被處理基板的真空處理系統及半導體被處理基板的真空處理方法

有效

• 申請號: 201010268843.1
• 申請日: 2010-08-27
• 公開（公告）號: CN102064123A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 田內勤;近藤英明;仲田輝男;野木慶太;下田篤;智田崇文
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 黃永杰

技術領域

本發明涉及在半導體處理裝置的真空處理室和真空搬運室之間具備半導體被處理基板(以下包含半導體晶片及基板狀的試樣等，簡稱為“晶片”)的搬運機構的真空處理系統的構成、及使用該系統的真空處理方法。特別是涉及將多個真空處理室經由多個真空搬運室內的搬運機構串聯配置的真空處理系統的構成及真空處理方法。?

背景技術

在上述那樣的裝置，特別是在減壓的裝置內對處理對象進行處理的裝置中，在尋求處理的微細化、高精度化的同時，尋求作為處理對象的被處理基板的處理效率的提高。因此，近年來開發一個裝置具備多個真空處理室的多腔裝置，使清潔室的單位設置面積的生產效率提高。?

具備這樣的多個真空處理室或腔并進行處理的裝置，各自的真空處理室或腔能夠減壓地調節內部的氣體或其壓力，與具備用于搬運被處理基板的機器人臂等的真空處理室(搬運腔)進行連接。?

在這樣的構成時，真空處理裝置整體的大小由真空搬運室及真空處理室的大小、數量及配置決定。真空搬運室的構成由相鄰的真空搬運室或真空處理室的連接數量、內部的搬運機器人的回轉半徑、晶片尺寸等決定。另外，真空處理室由晶片尺寸、排氣效率、為處理晶片而所需的設備的配置決定。另外，真空搬運室及真空處理室的配置也由生產所需的處理室的數量及維護性來決定。?

在上述基礎上，專利文獻1中記載有，在真空下的半導體處理系統中，關于對加工中的制品進行處理的方法及系統，為了將線形處理系統橫斷而用于從臂向臂處理材料的方法及系統。該專利文獻1中，?提供一種真空處理系統，其課題在于對于如下半導體制造裝置存在需要性：能夠避免線形工具的問題，并且能夠克服成束工具固有的限制，在小的設置面積移動晶片。?

專利文獻1：(日本)特表2007-511104號公報?

但是，上述現有技術中，搬運晶片時的方法及系統構成是重點，對如下方面考慮不足。?

即，在構成真空處理系統的各單元的數量和配置中，作為主要的單元的對處理對象的晶片進行處理的處理室及用于進行真空搬運的真空搬運室和真空處理室的配置關系未進行生產性的效率最佳的配置關系的考慮，結果是單位設置面積的生產性不能最佳化。?

未充分考慮到這種單位設置面積的生產性的現有技術中，構成真空處理系統的裝置的單位設置面積的晶片的處理能力受到損害。?

發明內容

因此，本發明的目的在于，提供單位設置面積的生產性高的半導體被處理基板的真空處理系統及半導體被處理基板的真空處理方法。?

為解決所述課題，本發明提供一種半導體被處理基板的真空處理系統，其特征在于，具備：大氣搬運室，其前面側配置多個盒臺，搬運設置于所述多個盒臺內的一個上的盒內所收納的晶片；鎖定室，其配置于該大氣搬運室的后方，在內部收納從該大氣搬運室搬運的所述晶片；第一真空搬運室，其與該鎖定室的后方連結，從該鎖定室搬運所述晶片；搬運中間室，其與所述第一真空搬運室的后方連結；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后方連結，從該搬運中間室搬運所述晶片；與所述第一真空搬運室的后方連結、處理從所述第一真空搬運室搬運的所述晶片的至少一個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結、處理從所述第二真空搬運室搬運的所述晶片的兩個以上的真空處理室，與所述第一真空搬運室連結的真空處理室的數量比與所述第二真空搬運室連結的真空處理室的數量少。?

另外，本發明的半導體被處理基板的真空處理系統，其特征在于，作為與所述第一真空搬運室連結且處理從所述第一真空搬運室搬運來?的所述晶片的第一真空處理室、和與所述第二真空搬運室連結且處理從所述第二真空搬運室搬運來的所述晶片的第二及第三真空處理室，將與所述第一真空搬運室連結的真空處理室的數量設為1個，將與所述第二真空搬運室連結的真空處理室的數量設為2個。?

另外，本發明的半導體被處理基板的真空處理系統，其特征在于，在所述第一及第二真空搬運室的各自內部配置搬運機器人，該搬運機器人包括具有多個臂的搬運機器人。?