[發(fā)明專利]半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010268843.1
• 申請日: 2010-08-27
• 公開（公告）號: CN102064123A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田內(nèi)勤;近藤英明;仲田輝男;野木慶太;下田篤;智田崇文
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立高新技術(shù)
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 黃永杰

1.一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，具備：大氣搬運室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€盒臺，搬運設(shè)置于所述多個盒臺內(nèi)的一個上的盒內(nèi)所收納的晶片；鎖定室，其配置于該大氣搬運室的后方，在內(nèi)部收納從該大氣搬運室搬運的所述晶片；第一真空搬運室，其與該鎖定室的后方連結(jié)，從該鎖定室搬運所述晶片；搬運中間室，其與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后方連結(jié)，從該搬運中間室搬運所述晶片；與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第一真空搬運室搬運的所述晶片的至少一個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第二真空搬運室搬運的所述晶片的兩個以上的真空處理室，

與所述第一真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量比與所述第二真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量少。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，

作為與所述第一真空搬運室連結(jié)且處理從所述第一真空搬運室搬運來的所述晶片的第一真空處理室、和與所述第二真空搬運室連結(jié)且處理從所述第二真空搬運室搬運來的所述晶片的第二及第三真空處理室，

將與所述第一真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量設(shè)為1個，將與所述第二真空搬運室連結(jié)的真空處理室的數(shù)量設(shè)為2個。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，

在所述第一及第二真空搬運室的各自內(nèi)部配置搬運機器人，該搬運機器人包括具有多個臂的搬運機器人。

4.一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，使用半導(dǎo)體處理基板的真空處理系統(tǒng)處理半導(dǎo)體被處理基板，所述半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)具備：大氣搬運室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€盒臺，搬運設(shè)置于所述多個盒臺內(nèi)的一個上的盒內(nèi)所收納的晶片；鎖定室，其配置于該大氣搬運室的后方，在內(nèi)部收納從該大氣搬運室搬運的所述晶片；第一真空搬運室，其與該鎖定室的后方連結(jié)，從該鎖定室搬運所述晶片；搬運中間室，其與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)；第二真空搬運室，其與該搬運中間室的后方連結(jié)，從該搬運中間室搬運所述晶片；與所述第一真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第一真空搬運室搬運的所述晶片的多個真空處理室；與所述第二真空搬運室的后方連結(jié)、處理從所述第二真空搬運室搬運的所述晶片的多個真空處理室，其特征在于，以使用與所述第一真空搬運室連結(jié)的多個真空處理室內(nèi)的一個真空處理室的方式控制所述晶片的搬運。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，其特征在于，

在所述第一及第二真空搬運室的各自內(nèi)部配置有搬運機器人，該搬運機器人包括具有多個臂的搬運機器人，

以使用與所述第一真空搬運室連結(jié)的多個真空處理室內(nèi)的一個真空處理室的方式控制所述搬運機器人進行的所述晶片的搬運。