[發明專利]掩膜版制作方法及系統

無效

• 申請號: 201010268664.8
• 申請日: 2010-09-01
• 公開（公告）號: CN102385242A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 黃旭鑫;王謹恒;張雷;陳潔
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種掩膜版制作方法，其特征在于，包括：

a)確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應的OPC數據；

b)根據所述OPC數據創建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

c)提供設計圖形數據，按照設計規則對所述設計圖形數據進行預處理，將所述設計圖形數據轉換為符合設計規則的圖形數據；

d)根據所述OPC程序，對所述預處理后的設計圖形數據進行OPC運算；

e)驗證所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD的差值是否在誤差允許范圍內，如果否，返回步驟b)，如果是，按照所述OPC運算后的圖形數據制作掩膜版。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預處理過程包括：

當所述設計圖形數據中的凸出部分的尺寸與所述目標CD的差值大于預設閾值時，清除所述凸出部分。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預處理過程包括：

當所述設計圖形數據中的缺口部分的尺寸與所述目標CD的差值大于預設閾值時，填補所述缺口部分。

4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述預處理后的設計圖形數據滿足產品制造工藝要求和電學特性要求。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述驗證的過程包括：

對所述OPC運算后的圖形數據進行仿真，得出所述OPC運算后的圖形數據的CD；

將所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD進行比較，得出二者間的差值；

判斷所述差值是否在誤差允許的范圍內。

6.一種掩膜版制作系統，其特征在于，包括：

程序創建單元，用于根據確定的光刻工藝條件，收集所述光刻工藝條件對應的OPC數據，并根據所述OPC數據創建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

處理單元，用于按照設計規則對設計圖形數據進行預處理，將所述設計圖形數據轉換為符合設計規則的圖形數據；

運算單元，用于根據所述OPC程序，對所述預處理后的設計圖形數據進行OPC運算；

驗證單元，用于驗證所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD的差值是否在誤差允許范圍內；

制版單元，用于當所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD的差值在誤差允許范圍內時，按照所述OPC運算后的圖形制作掩膜版。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理單元包括：

比較單元，用于將所述設計圖形數據中的凸出部分的尺寸以及缺口部分的尺寸與所述目標CD進行比較，得出所述凸出部分的尺寸與所述目標CD的差值，以及所述缺口部分的尺寸與所述目標CD的差值；

第一判斷單元，用于判斷所述設計圖形數據中凸出部分的尺寸與所述目標CD的差值，以及所述缺口部分的尺寸與所述目標CD的差值是否大于預設閾值；

修正單元，用于當所述設計圖形數據中的凸出部分的尺寸與所述目標CD的差值大于預設閾值時，清除所述凸出部分，且當所述設計圖形中的缺口部分的尺寸與所述目標CD的差值大于預設閾值時，填補所述缺口部分。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述驗證單元包括：

仿真單元，用于對所述OPC運算后的圖形數據進行仿真，得出所述OPC運算后的圖形數據的CD；

計算單元，用于將所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD進行比較，得出二者間的差值；

第二判斷單元，用于判斷所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD差值是否在誤差允許的范圍內。

9.根據權利要求6-8任一項所述的裝置，其特征在于，還包括：存儲單元，用于存儲所述目標CD的值、所述預設閾值和所述誤差范圍中的至少一種。