[發明專利]掩膜版制作方法及系統

無效

• 申請號: 201010268664.8
• 申請日: 2010-09-01
• 公開（公告）號: CN102385242A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 黃旭鑫;王謹恒;張雷;陳潔
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，更具體地說，涉及一種掩膜版制作方法及系統。

背景技術

隨著超大規模集成電路(ULSI，Ultra?Large?Scale?Integration)的飛速發展，集成電路制造工藝變得越來越復雜和精細。在0.13um以下技術節點的關鍵層次中，如TO(有源區層次)、GT(柵氧層次)以及An(金屬連線層次)等關鍵層次的CD(關鍵尺寸)越來越小，某些關鍵層次的CD已經接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波的波長248nm，因此在光刻中的曝光過程中，由于光的干涉和衍射現象，實際產品晶片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間存在一定的變形和偏差，光刻中的這種誤差直接影響電路性能和生產成品率。

現有技術中為了消除上述誤差，通常使用OPC(光學鄰近效應矯正)方法對設計圖進行一定的修正。現有的采用OPC方法對設計圖形數據進行處理的過程如圖1所示，包括以下步驟：

步驟S101：確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應的OPC數據；

步驟S102：根據所述OPC數據創建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

步驟S103：提供設計圖形數據，根據所述OPC程序，對所述設計圖形數據進行OPC運算；

步驟S104：驗證所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD的差值是否在誤差允許范圍內，如果否，返回步驟S102，如果是，進入步驟S105；

步驟S105：按照所述OPC運算后的圖形數據制作掩膜版。

將原始設計圖形數據經過上述OPC方法處理后制作的掩膜版，可以消除光刻過程中因光的干涉和衍射而產生的光刻圖形與掩膜版圖形之間的變形和偏差，但是，在生產實際過程中，隨著設計圖的越來越復雜，采用傳統的OPC方法對設計圖進行多次修正之后，經過仿真運算得出的CD與產品的目標CD仍然相差很大，不能滿足實際生產的需要。

發明人研究發現，上述出現問題的設計圖中往往都存在很多不符合設計規則的圖形，對于這些不符合設計規則的圖形，采用傳統的OPC方法進行修正時，OPC的修正量不能完全補償設計的不足，進而影響OPC修正的準確度。

發明內容

本發明實施例提供一種掩膜版制作方法及系統，可使經OPC修正后的設計圖形數據的CD與目標CD的誤差在生產允許的范圍內，以滿足實際生產的需要。

為實現上述目的，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種掩膜版制作方法，包括：

a)確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應的OPC數據；

b)根據所述OPC數據創建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

c)提供設計圖形數據，按照設計規則對所述設計圖形數據進行預處理，將所述設計圖形數據轉換為符合設計規則的圖形數據；

d)根據所述OPC程序，對所述預處理后的設計圖形數據進行OPC運算；

e)驗證所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD的差值是否在誤差允許范圍內，如果否，返回步驟b)，如果是，按照所述OPC運算后的圖形數據制作掩膜版。

優選的，所述預處理過程包括：

當所述設計圖形數據中的凸出部分的尺寸與所述目標CD的差值大于預設閾值時，清除所述凸出部分。

優選的，所述預處理過程包括：

當所述設計圖形數據中的缺口部分的尺寸與所述目標CD的差值大于預設閾值時，填補所述缺口部分。

優選的，所述預處理后的設計圖形數據滿足產品制造工藝要求和電學特性要求。

優選的，所述驗證的過程包括：

對所述OPC運算后的圖形數據進行仿真，得出所述OPC運算后的圖形數據的CD；

將所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD進行比較，得出二者間的差值；

判斷所述差值是否在誤差允許的范圍內。

本發明實施例還公開了一種掩膜版制作系統，包括：

程序創建單元，用于根據確定的光刻工藝條件，收集所述光刻工藝條件對應的OPC數據，并根據所述OPC數據創建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

處理單元，用于按照設計規則對設計圖形數據進行預處理，將所述設計圖形數據轉換為符合設計規則的圖形數據；

運算單元，用于根據所述OPC程序，對所述預處理后的設計圖形數據進行OPC運算；

驗證單元，用于驗證所述OPC運算后的圖形數據的CD與目標CD的差值是否在誤差允許范圍內；