[發明專利]電路板基板及其制作方法無效
| 申請號: | 201010268176.7 | 申請日: | 2010-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102387661A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 何明展 | 申請(專利權)人: | 富葵精密組件(深圳)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/03 | 分類號: | H05K1/03;H05K1/02;H05K3/00;C08L63/00;C08K13/04;C08K7/00;C08K3/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518103 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路板 及其 制作方法 | ||
1.一種電路板基板,其包括依次堆疊的第一銅箔層、第一絕緣層、環氧樹脂復合材料層、第二絕緣層及第二銅箔層,所述環氧樹脂復合材料層由環氧樹脂復合材料組成,所述環氧樹脂復合材料包括端羧基聚合物改性的環氧樹脂、碳納米管及無機分散材料,所述碳納米管在所述環氧樹脂復合材料中所占的質量百分比為4.6%至16%,所述端羧基聚合物改性的環氧樹脂的環氧當量為323至352。
2.如權利要求1所述的電路板基板,其特征在于,所述端羧基聚合物改性的環氧樹脂為液態聚丁二烯丙烯腈改性的雙酚A型環氧樹脂,所述端羧基聚合物改性的環氧樹脂在環氧樹脂復合材料中的質量百分比為55%至65%。
3.如權利要求1所述的電路板基板,其特征在于,所述無機分散材料為納米粘土或者納米云母粉,所述碳納米管與無機分散材料的質量比為8∶1至12∶1。
4.如權利要求1所述的電路板基板,其特征在于,所述環氧樹脂復合材料復合材料還包括硬化劑、溶劑、催化劑及消泡劑,所述硬化劑為雙氰胺,所述溶劑為二乙二醇單乙醚醋酸酯,所述催化劑為2-十一烷基咪唑。
5.如權利要求1所述的電路板基板,其特征在于,所述環氧樹脂復合材料層的厚度為2微米至12微米。
6.一種電路板基板制作方法,包括步驟:
制作環氧樹脂復合材料,所述環氧樹脂復合材料包括端羧基聚合物改性的環氧樹脂、碳納米管及無機分散材料,所述碳納米管在所述環氧樹脂復合材料中所占的質量百分比為4.6%至16%,所述端羧基聚合物改性的環氧樹脂的環氧當量為323至352;
提供包括第一銅箔層和第一絕緣層的第一覆銅板;
將所述環氧樹脂復合材料涂布于所述第一絕緣層的表面以形成環氧樹脂復合材料層,并半固化所述環氧樹脂復合材料層;
提供包括第二銅箔層和第二絕緣層的第二覆銅板,壓合第二覆銅板和形成有環氧樹脂復合材料層的第一覆銅板,并使得第二絕緣層與環氧樹脂復合材料層相互接觸;以及
固化所述環氧樹脂復合材料層。
7.一種電路板基板制作方法,包括步驟:
制作環氧樹脂復合材料,所述環氧樹脂復合材料包括端羧基聚合物改性的環氧樹脂、碳納米管及無機分散材料,所述碳納米管在所述環氧樹脂復合材料中所占的質量百分比為4.6%至16%,所述端羧基聚合物改性的環氧樹脂的環氧當量為323至352;
采用所述環氧樹脂復合材料形成環氧樹脂復合材料層,并半固化所述環氧樹脂復合材料層;
提供包括第一銅箔層和第一絕緣層的第一覆銅板和包括第二銅箔層和第二絕緣層的第二覆銅板;以及
將環氧樹脂復合材料層設置于所述第一覆銅板的第一絕緣層和第二覆銅板的第二絕緣層之間,壓合所述第一覆銅板、環氧樹脂復合材料層及第二覆銅板,并使得環氧樹脂復合材料層固化。
8.如權利要求7所述的電路板基板制作方法,其特征在于,壓合所述第一覆銅板、環氧樹脂復合材料層及第二覆銅板采用快壓的方式進行,在壓合所述第一覆銅板、環氧樹脂復合材料層及第二覆銅板之后還包括通過熟化處理固化所述環氧樹脂復合材料層的步驟。
9.如權利要求7所述的電路板基板制作方法,其特征在于,壓合所述第一覆銅板、環氧樹脂復合材料層及第二覆銅板采用傳壓的方式進行,所述環氧樹脂復合材料層在壓合過程中固化。
10.如權利要求7所述的電路板基板制作方法,其特征在于,采用所述環氧樹脂復合材料形成環氧樹脂復合材料層,并半固化所述環氧樹脂復合材料層包括步驟:
提供離型基材層,所述離型基材層具有第一離型表面;
將所述環氧樹脂復合材料涂布于絕緣基材層的第一離型表面形成環氧樹脂復合材料層;以及
烘烤所述環氧樹脂復合材料層,至所述環氧樹脂復合材料層處于半固化狀態。
11.如權利要求7至10中任一項所述的電路板基板制作方法,其特征在于,制作環氧樹脂復合材料包括步驟:
采用端羧基聚合物對環氧樹脂進行改性以得到端羧基聚合物改性的環氧樹脂;
將碳納米管均勻分散于無機分散材料中,以得到碳納米管分散體,所述無機分散材料為納米粘土或者納米云母粉;以及
將所述端羧基聚合物改性的環氧樹脂與碳納米管分散體進行混合并研磨分散,以得到環氧樹脂復合材料。
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