[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201010267828.5
• 申請日: 2010-08-30
• 公開（公告）號: CN102044565A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 中田和成;楢崎敦司;本田成人;本并薰
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;徐予紅

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

基極層，具有第一導電型；

源極層，形成在所述基極層上，并且具有第二導電型；

絕緣膜，形成在所述源極層上；

多個柵極結構，貫通所述基極層；

多個導電部，貫通所述絕緣膜以及所述源極層，并且與所述源極層以及所述基極層電連接；以及

源極電極，形成在所述絕緣膜上，并且與所述導電部電連接，

所述柵極結構在俯視圖中形成為條紋狀，

所述導電部與所述基極層連接的部分在俯視圖中在所述柵極結構間與該柵極結構隔開，且與該柵極結構的所述條紋狀的方向平行地形成，

所述柵極結構和所述導電部之間的所述源極層和所述基極層接觸的部分的尺寸為0.36μm以上且0.43μm以下。

2.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

基極層，具有第一導電型；

源極層，形成在所述基極層上，并且具有第二導電型；

絕緣膜，形成在所述源極層上；

多個柵極結構，貫通所述基極層；

多個導電部，貫通所述絕緣膜以及所述源極層，并且與所述源極層以及所述基極層電連接；以及

源極電極，形成在所述絕緣膜上，并且與所述導電部電連接，

所述柵極結構在俯視圖中形成為條紋狀，

所述導電部與所述基極層連接的部分在俯視圖中在所述柵極結構間與該柵極結構隔開，且在該柵極結構的所述條紋狀的方向排列形成為島狀，

所述導電部與所述基極層不連接的區域的所述柵極結構間的所述源極層和所述基極層接觸的部分的尺寸為0.36μm以上。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電部與所述源極層上表面接觸，并且貫通所述絕緣膜以及所述源極層，

所述源極層上表面和所述導電部接觸的部分的尺寸為10nm以上且40nm以下。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電部與所述基極層連接的部分的俯視圖形狀是圓形或橢圓形。

5.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

基極層，具有第一導電型；

源極層，形成在所述基極層上，并且具有第二導電型；

絕緣膜，形成在所述源極層上；

多個柵極結構，貫通所述基極層；

導電部，貫通所述絕緣膜以及所述源極層，并且，與所述源極層上表面接觸，并且與所述源極層以及所述基極層電連接；以及

源極電極，形成在所述絕緣膜上，并且與所述導電部電連接，

所述源極層上表面和所述導電部接觸的部分的尺寸為10nm以上且40nm以下。

6.如權利要求1、2、5中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述源極層以及所述基極層由硅或碳化硅構成。