[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010267658.0
• 申請日: 2010-08-30
• 公開（公告）號: CN102044559A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 本田成人;楢崎敦司;本并薰
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;徐予紅

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體襯底，具有第一導電型，具有形成了凹陷部的上表面；

電極層，具有第二導電型，與所述凹陷部鄰接，在所述半導體襯底的表面內形成；

RESURF層，具有比所述電極層濃度低的所述第二導電型的雜質，以與所述凹陷部的底面和所述電極層接觸的方式在所述半導體襯底內形成；

絕緣膜，以填充所述凹陷部的方式在所述半導體襯底的上表面形成；以及

場板電極，在所述凹陷部上方的所述絕緣膜上形成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述凹陷部內形成的所述絕緣膜的厚度是1μm以上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凹陷部的側面部具有錐形狀。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凹陷部的與底面連接的角部帶有圓形。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凹陷部的與底面連接的角部通過所述電極層而被覆蓋。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述場板電極在平面觀察中，以覆蓋所述凹陷部的與底面連接的角部的方式而被形成。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體襯底包含：硅、碳化硅、或氮化鎵。

8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

(A)在具有第一導電型的半導體襯底的表面形成凹陷部的工序；

(B)通過對半導體襯底導入第二導電型的雜質，在所述半導體襯底的表面內形成與所述凹陷部鄰接的電極層的工序；

(C)通過對所述半導體襯底導入比所述電極層濃度低的所述第二導電型的雜質，在所述半導體襯底內形成與所述凹陷部的底面和所述電極層接觸的RESURF層的工序；

(D)以填充所述凹陷部的方式形成絕緣膜的工序；以及

(E)在所述凹陷部上方的所述絕緣膜上形成場板電極的工序。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(C)是在所述工序(A)之后，通過對所述凹陷部的底面導入所述雜質，從而形成所述RESURF層的工序。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(A)具備：

(A-1)在所述半導體襯底的上表面，形成具有側面部是錐形狀的開口部的抗蝕劑的工序；以及

(A-2)將所述抗蝕劑作為模板進行使用，通過對所述半導體襯底進行蝕刻，形成所述凹陷部的工序。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(A-2)是在所述半導體襯底相對于所述抗蝕劑的蝕刻選擇比為1的條件下進行所述蝕刻的工序。