[發明專利]混頻器

無效

• 申請號: 201010263875.2
• 申請日: 2010-08-24
• 公開（公告）號: CN101938254A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 馮程程;葉紅波;任錚
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及一種混頻器。

背景技術

隨著PDA、手機等手持設備的發展，低功耗低成本成為了一個難題，芯片功耗的降低直接影響了電路的增益和線性度等指標。在典型的無線收發系統中，接收路徑上包含了低噪聲放大器，混頻器，頻率綜合器，低通濾波器，基帶可變增益放大器和模數轉換器等電路。其中，混頻器承載著信號頻率搬移的任務，把射頻信號轉換成基帶信號，然后給基帶模塊處理。

請參見圖1，圖1是一種現有技術的混頻器的電路結構示意圖。所述混頻器包括第一晶體管M′₁、第二晶體管M′₂和第三晶體管M′₃。所述第三晶體管M′₃的柵極連接射頻信號輸入端RF′，所述第三晶體管M′₃的源極接地，所述第三晶體管M′₃的漏極連接所述第一晶體管M′₁和所述第二晶體管M′₂的源極。所述第一晶體管M′₁的柵極連接所述混頻器的第一本振信號輸入端LO′+，所述第一晶體管M′₁的漏極經第一電容C′₁連接所述混頻器的第一信號輸出端IF′+，所述第一晶體管M′₁的漏極經第一電阻R′₁連接直流電源VDD。所述第二晶體管M′₂的柵極連接所述混頻器的第二本振信號輸入端LO′-，所述第二晶體管M′₂的漏極經第二電容C′₂連接所述混頻器的第二信號輸出端IF′-，所述第二晶體管M′₂的漏極經第二電阻R′₂連接所述直流電源VDD。

混頻器要求能夠提供一定的增益以抑制后續模塊的噪聲，然而增益和功耗之間存在著折衷關系，增益大意味著消耗的電流也大，消耗的電流小意味著增益也相對較小。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高增益低功耗混頻器。

一種混頻器，包括差動連接的第一晶體管、第二晶體管以及第一本振信號輸入端和第二本振信號輸入端，所述混頻器還包括第一耦合電路和第二耦合電路，所述第一耦合電路連接在所述第一本振信號輸入端和所述第一晶體管的襯底之間，所述第二耦合電路連接在所述第二本振信號輸入端和所述第二晶體管的襯底之間。

本發明優選的一種技術方案，所述第一耦合電路包括第一耦合電容，所述第一耦合電容連接于所述第一晶體管的柵極和襯底之間。

本發明優選的一種技術方案，所述第二耦合電路包括第二耦合電容，所述第二耦合電容連接于所述第二晶體管的柵極和襯底之間。

本發明優選的一種技術方案，所述混頻器還包括第三晶體管，所述第三晶體管的源極接地，所述第三晶體管的柵極接收射頻信號，所述第三晶體管的漏極連接所述第一晶體管和第二晶體管的源極。

本發明優選的一種技術方案，所述第一晶體管的柵極連接所述第一本振信號輸入端，所述第一晶體管的漏極經第一電容連接所述混頻器的第一信號輸出端。

本發明優選的一種技術方案，所述混頻器還包括第一電阻，所述第一晶體管的漏極經所述第一電阻連接直流電源。

本發明優選的一種技術方案，所述第二晶體管的柵極連接所述第二本振信號輸入端，所述第二晶體管的漏極經第二電容連接所述混頻器的第二信號輸出端。

本發明優選的一種技術方案，所述混頻器還包括第二電阻，所述第二晶體管的漏極經所述第二電阻連接直流電源。

本發明優選的一種技術方案，所述第一、第二、第三晶體管是N型MOS管。

本發明優選的一種技術方案，所述本振信號為的頻率為2.39GHz，所述射頻信號的頻率為2.4GHz。

與現有技術相比，本發明的混頻器在所述第一本振信號輸入端和所述第一晶體管的襯底之間連接所述第一耦合電路。在所述第二本振信號輸入端和所述第二晶體管的襯底之間連接所述第二耦合電路。利用閾值電壓和襯底電壓之間的關系影響所述混頻器的性能，即利用所述第一、第二晶體管的體效應來來實現所述混頻器的高增益低功耗性能。

附圖說明

圖1是一種現有技術的混頻器的電路結構示意圖。

圖2是本發明的混頻器的電路結構示意圖。

圖3是本發明的混頻器的本振信號的傳輸示意圖。

圖4是本發明的混頻器與現有技術的混頻器的性能參數比對表。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面結合附圖對本發明作進一步的詳細描述。