[發明專利]混頻器無效
| 申請號： | 201010263875.2 | 申請日： | 2010-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN101938254A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 馮程程;葉紅波;任錚 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H03D7/14 | 分類號： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201210*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 混頻器 | ||
1.一種混頻器，包括差動連接的第一晶體管、第二晶體管以及第一本振信號輸入端和第二本振信號輸入端，其特征在于，所述混頻器還包括第一耦合電路和第二耦合電路，所述第一耦合電路連接在所述第一本振信號輸入端和所述第一晶體管的襯底之間，所述第二耦合電路連接在所述第二本振信號輸入端和所述第二晶體管的襯底之間。
2.如權利要求1所述的混頻器，其特征在于，所述第一耦合電路包括第一耦合電容，所述第一耦合電容連接于所述第一晶體管的柵極和襯底之間。
3.如權利要求1所述的混頻器，其特征在于，所述第二耦合電路包括第二耦合電容，所述第二耦合電容連接于所述第二晶體管的柵極和襯底之間。
4.如權利要求1所述的混頻器，其特征在于，所述混頻器還包括第三晶體管，所述第三晶體管的源極接地，所述第三晶體管的柵極接收射頻信號，所述第三晶體管的漏極連接所述第一晶體管和第二晶體管的源極。
5.如權利要求4所述的混頻器，其特征在于，所述第一晶體管的柵極連接所述第一本振信號輸入端，所述第一晶體管的漏極經第一電容連接所述混頻器的第一信號輸出端。
6.如權利要求5所述的混頻器，其特征在于，所述混頻器還包括第一電阻，所述第一晶體管的漏極經所述第一電阻連接直流電源。
7.如權利要求4所述的混頻器，其特征在于，所述第二晶體管的柵極連接所述第二本振信號輸入端，所述第二晶體管的漏極經第二電容連接所述混頻器的第二信號輸出端。
8.如權利要求7所述的混頻器，其特征在于，所述混頻器還包括第二電阻，所述第二晶體管的漏極經所述第二電阻連接直流電源。
9.如權利要求4到8中的任意一項所述的混頻器，其特征在于，所述第一、第二、第三晶體管是N型MOS管。
10.如權利要求4到8中的任意一項所述的混頻器，其特征在于，所述本振信號為的頻率為2.39GHz，所述射頻信號的頻率為2.4GHz。
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