[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201010263295.3
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN102376571A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 孫武;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括下列步驟：

提供襯底，所述襯底上形成有柵極結構和所述柵極結構兩側的間隙壁結構；以及

通入同向的、無選擇比的刻蝕氣體對所述間隙壁結構進行刻蝕，以去除所述間隙壁結構，

其中，所述刻蝕過程中反應腔室的壓力為110-200毫托，源功率為400-800W。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述襯底中所述柵極結構兩側還形成有源極和漏極，并且在所述源極、所述漏極和所述柵極結構的上方形成有金屬硅化物。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述間隙壁結構包括至少一層氧化物層和/或至少一層氮化物層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括CF₄、CHF₃、CH₂F₂、NF₃中的至少一種以及O₂。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括CF₄和O₂。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述CF₄的流速為50-500sccm，所述O₂的流速為0-50sccm。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述CF₄與O₂的流速比為2-10。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體還包括惰性氣體。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氦氣，其中所述氦氣的流速為0-100sccm。

10.如權利要求1-9中的任意一項所述的方法，其特征在于，所述偏壓功率為0-300W。