[發明專利]半導體器件結構及制作該半導體器件結構的方法無效
| 申請號： | 201010263270.3 | 申請日： | 2010-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN102376754A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 李敏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/10 | 分類號： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;謝栒 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 結構 制作 方法 | ||
1.一種半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件結構包括：
前端器件層結構；
紫外光屏蔽層，所述紫外光屏蔽層形成在所述前端器件層結構的表面；以及
應力層，所述應力層形成在所述紫外光屏蔽層的上方。
2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述應力層為經過紫外線照射后的應力層。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件結構，其特征在于，所述應力層用作刻蝕停止層。
4.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述紫外光屏蔽層為氮氧化硅層。
5.根據權利要求4所述的半導體器件結構，其特征在于，所述氮氧化硅層的厚度為100～150埃。
6.根據權利要求4所述的半導體器件結構，其特征在于，所述氮氧化硅層的反射率為1.9～2.1，吸光系數為0.4～0.7。
7.根據權利要求1或2所述的半導體器件結構，其特征在于，所述應力層至少為2層。
8.根據權利要求1或2所述的半導體器件結構，其特征在于，所述應力層為氮化硅層。
9.一種制作如權利要求1至8任一項所述的半導體器件結構的方法，其特征在于，所述方法包括：
a)提供前端器件層結構；
b)在所述前端器件層結構的表面形成紫外光屏蔽層；以及
c)在所述紫外光屏蔽層的上方形成應力層。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
d)用紫外線照射所述應力層。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，依次重復執行所述步驟c)和d)至少2次。
12.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述應力層用作刻蝕停止層。
13.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述紫外光屏蔽層為氮氧化硅層。
14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積方法形成所述氮氧化硅層。
15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，生成所述氮氧化硅層的反應氣體包括硅烷和氧化氮。
16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述硅烷的流速為300～400sccm，所述氧化氮的流速為600～800sccm，射頻電源的頻率為150～300Hz，溫度為400～480℃。
17.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅層的厚度為100～150埃。
18.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅層的反射率為1.9～2.1，吸光系數為0.4～0.7。
19.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述應力層為氮化硅層。
20.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述紫外線照射的功率為2000～4000W。
21.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述紫外線照射的溫度為350～480℃。
22.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述紫外線照射的時間為2～3min。
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