[發明專利]涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法

有效

• 申請號: 201010262585.6
• 申請日: 2010-08-24
• 公開（公告）號: CN101996867A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 松岡伸明
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/68;G03F7/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及使用藥液對基板進行液體處理的涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法。

背景技術

在半導體器件的制造工藝中的光刻工序中，對半導體基板(以下稱為“基板”或“晶片”)的表面進行疏水化處理之后，涂敷BARC(Bottom?Anti-Reflective?Coating，底部抗反射涂層)并進行加熱處理，涂敷抗蝕劑并進行加熱處理，進行曝光處理，對可溶化的部分進行顯影處理從而除去，由此形成微細的抗蝕劑圖案。

此處，在抗蝕劑圖案的曝光前的工序中，連續進行涂敷BARC的涂敷處理、用于使涂敷的BARC液體內的溶劑蒸發的加熱處理(預烘焙)、冷卻處理(cooling)、在冷卻的晶片上涂敷抗蝕劑的抗蝕劑涂敷處理、用于使涂敷的抗蝕劑液體內的溶劑蒸發的加熱處理(預烘焙)等各種處理。此外，在抗蝕劑圖案的曝光后的工序中，進行用于促進晶片上的抗蝕劑膜的化學反應的加熱處理(曝光后烘焙)、冷卻處理(cooling)、向冷卻后的晶片供給顯影液進行顯影處理等的各種處理。

在這樣進行半導體晶片的涂敷處理和顯影處理的涂敷顯影裝置中，近年來，因為伴隨晶片的大口徑化(對應為450mm)各處理單元大型化，導致裝置整體的所占空間增大。

此外，為了削減成本，優選增大每單位時間的晶片處理能力。因此，在一個涂敷顯影裝置中包含多個處理單元，裝置整體的所占空間進一步增大。

作為這樣的涂敷顯影裝置，有從盒體側向曝光裝置側在兩側配置各種處理單元，在中央配置共用的晶片搬送臂的結構(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2003-7795號公報

但是，上述涂敷顯影裝置具有以下的問題。

在中央配置共用的晶片搬送臂的情況下，在兩側的上下多段中配置的處理單元間進行晶片的交接的次數較多，晶片搬送臂的移動距離變長，存在處理時間增大，不能夠使得每單位時間的晶片處理個數增大的問題。

此外，因為在中央僅存在一個晶片搬送臂，所以難以共用化、集合具有以處理某一特定的晶片為目的的功能的各處理單元，存在不能夠削減所占空間的問題。

發明內容

本發明鑒于上述問題而提出，提供能夠使晶片搬送臂的移動距離變短，縮短處理時間，減小所占空間的涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法。

為了解決上述問題，本發明的特征在于以下內容。

本發明提供一種涂敷顯影裝置，其將利用載體搬入載體塊的基板交接至處理部，在由上述處理部形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后，經由接口塊搬送至曝光裝置，將經由上述接口塊送回的曝光后的基板由上述處理部進行顯影處理，并交接至上述載體塊，該涂敷顯影裝置的特征在于，具有液體處理單元，該液體處理單元包括：使用藥液對基板進行液體處理的液體處理部；與上述液體處理部對應設置，對基板進行冷卻處理的冷卻處理部；和與上述冷卻處理部對應設置，對基板進行加熱處理的加熱處理部，上述冷卻處理部具有在其與上述液體處理部之間以及與上述加熱處理部之間搬送基板的基板搬送功能。

此外，本發明提供一種涂敷顯影方法，其將利用載體搬入載體塊的基板交接至處理機構，在由上述處理機構形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后，經由接口塊搬送至曝光裝置，將經由上述接口塊送回的曝光后的基板由上述處理機構進行顯影處理，并交接至上述載體塊，該涂敷顯影方法的特征在于，具有：利用液體處理機構使用藥液對基板進行液體處理的液體處理工序；利用與上述液體處理機構對應設置的冷卻處理機構對基板進行冷卻處理的冷卻處理工序；和利用與上述冷卻處理機構對應設置的加熱處理機構對基板進行加熱處理的加熱處理工序，上述冷卻處理機構具有在其與上述液體處理機構之間以及與上述加熱處理機構之間搬送基板的基板搬送功能。

根據本發明，在對基板進行液體處理的涂敷顯影裝置中，能夠使晶片搬送臂的移動距離變短，縮短處理時間，使所占空間變小。

附圖說明

圖1是表示實施方式的涂敷顯影裝置的結構的概要平面圖。

圖2是表示實施方式的涂敷顯影裝置的結構的概要正面圖。

圖3是表示實施方式的涂敷處理單元的結構的概要平面圖。

圖4是表示實施方式的涂敷處理單元的結構的概要正面圖。

圖5是用于說明實施方式的涂敷顯影裝置中的冷卻處理部的冷卻板能夠在涂敷處理部與加熱處理部之間移動的情況的概要立體圖。

圖6是用于說明實施方式的涂敷顯影裝置中的冷卻處理部的冷卻板能夠在涂敷處理部與加熱處理部之間移動的情況的概要立體圖。