[發(fā)明專利]涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010262585.6 | 申請日: | 2010-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN101996867A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 松岡伸明 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/68;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯影 裝置 方法 | ||
1.一種涂敷顯影裝置,其將利用載體搬入到載體塊的基板交接至處理部,在由所述處理部形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后,經(jīng)由接口塊搬送至曝光裝置,由所述處理部對經(jīng)由所述接口塊送回的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理,并交接至所述載體塊,該涂敷顯影裝置的特征在于:
具有液體處理單元,
該液體處理單元包括:使用藥液對基板進(jìn)行液體處理的液體處理部;
與所述液體處理部對應(yīng)設(shè)置,對基板進(jìn)行冷卻處理的冷卻處理部;和
與所述冷卻處理部對應(yīng)設(shè)置,對基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理部,
所述冷卻處理部具有在其與所述液體處理部之間以及與所述加熱處理部之間搬送基板的基板搬送功能。
2.如權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述冷卻處理部與所述液體處理部相鄰,
所述加熱處理部與所述冷卻處理部相鄰。
3.如權(quán)利要求2所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述液體處理部、所述冷卻處理部和所述加熱處理部依次排列在一條直線上。
4.如權(quán)利要求3所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
具有多個所述液體處理單元。
5.如權(quán)利要求4所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
多個所述液體處理單元在同一平面內(nèi)并排配置。
6.如權(quán)利要求4或5所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
多個所述液體處理單元上下重疊配置。
7.如權(quán)利要求1~6中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述加熱處理部具有保持基板并對其進(jìn)行加熱處理的多個熱板,
所述熱板上下重疊配置。
8.如權(quán)利要求1~7中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述冷卻處理部具有保持基板并對其進(jìn)行冷卻處理的冷卻板,
所述冷卻板在其與所述液體處理部之間以及與所述加熱處理部之間進(jìn)行基板的交接。
9.如權(quán)利要求1~7中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述冷卻處理部具有保持基板并對其進(jìn)行冷卻處理的冷卻板,和保持基板的保持板,
所述冷卻板在其與所述加熱處理部之間進(jìn)行基板的交接,所述保持板在其與所述液體處理部之間進(jìn)行基板的交接。
10.如權(quán)利要求8或9所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述冷卻板設(shè)置為在所述液體處理單元的所述液體處理部、所述冷卻處理部和所述加熱處理部排列的方向以及上下方向能夠移動。
11.如權(quán)利要求1~10中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述液體處理單元具有切換成多種藥液的任一種并將其供給至所述液體處理部的藥液供給部。
12.如權(quán)利要求11所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述藥液供給部具有與所述多種藥液對應(yīng)設(shè)置的多個噴嘴。
13.如權(quán)利要求1~6中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
具有前處理單元,其與所述液體處理單元對應(yīng)設(shè)置,對在所述液體處理單元進(jìn)行處理的基板進(jìn)行前處理。
14.如權(quán)利要求1~13中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
具有后處理單元,其與所述液體處理單元對應(yīng)設(shè)置,對在所述液體處理單元中進(jìn)行了處理的基板進(jìn)行后處理。
15.如權(quán)利要求1~14中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于,包括:
將基板搬入搬出所述液體處理單元的搬入搬出單元;和
在所述液體處理單元的所述搬入搬出單元側(cè),在與所述液體處理單元之間進(jìn)行基板的交接的第一緩沖單元。
16.如權(quán)利要求15中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
在所述液體處理單元的所述搬入搬出單元的相反側(cè),具有在與所述液體處理單元之間進(jìn)行基板的交接的第二緩沖單元。
17.如權(quán)利要求1~16中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述液體處理部對基板進(jìn)行藥液的涂敷處理。
18.如權(quán)利要求1~16中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述液體處理部使用顯影液對基板進(jìn)行顯影處理。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010262585.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:防近視支架
- 下一篇:多功能泌尿生殖保健輔助儀
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





