[發明專利]疏水化處理裝置、疏水化處理方法以及存儲介質

有效

• 申請號: 201010262548.5
• 申請日: 2010-08-24
• 公開（公告）號: CN101996859A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 新村聰;福岡哲夫;北野高廣
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及疏水化處理裝置、疏水化處理方法以及存儲介質。

背景技術

以往在半導體器件、LCD基板等的制造工藝中，抗蝕圖案的形成處理中的工序之一是對基板例如半導體晶圓(以下簡稱晶圓)進行疏水化處理。之所以進行該處理，是為了向晶圓的表面噴射HMDS(六甲基二硅氮烷，hexamethyldisilazane)的蒸氣而使晶圓表面從親水性變成疏水性，以能在將抗蝕劑涂敷在晶圓上之前提高基底膜與抗蝕膜的密合性。此時，多將疏水化處理進行至晶圓的表面和斜面(bavel)部(外周部端面)，通過上述那樣進行疏水化處理，在實施浸液曝光處理的情況下，具有抗蝕膜不容易被剝離這一優點，該浸液曝光處理使水介于晶圓和曝光裝置之間而進行曝光。

作為對晶圓進行上述疏水化處理的裝置，公知下述專利文獻1所述那樣的裝置。即、該裝置將作為液體原料的藥液的HMDS液貯存在罐內，且借助各配管分別使載氣供給源和用于進行疏水化處理的處理室與該罐相連接。自載氣供給源將載氣供給到罐內，從而使罐內的HMDS液例如鼓泡(bubbling)而氣化，然后利用載氣將該氣化了的HMDS氣體輸送到處理室內。

另外，由于在半導體器件的制造工序中希望可以提高生產率，因而也希望可以縮短在該疏水化處理中的處理時間。因此，正在研究向晶圓供給濃度比較高的HMDS氣體(疏水化氣體)以謀求提高生產率。

由于上述疏水化氣體的產生速度相對于HMDS液與載氣的接觸面積成正比，因此可以使用大型的罐為作為貯存HMDS液的罐而向晶圓供給高濃度的HMDS氣體，從而能夠提高生產率。但是，上述那樣大型化的罐無法配置在處理容器的附近，由此導致用于連接處理室和罐的配管變長。在配管如上所述那樣變長時，擔心在含有濃度比較高的HMDS氣體的疏水化氣體流過配管的情況下，該HMDS氣體發生結露而不能向晶圓供給預定濃度的疏水化氣體，加之由于每次處理晶圓時都要使上述配管內充滿疏水化氣體，因此可能無法充分地提高生產率。作為防止出現上述結露現象的對策，可以通過在配管中設置加熱單元而防止疏水化氣體發生結露，但該方法使裝置大型化，導致占有空間(footprint)(占有地面面積)變大。

另外，在罐內，HMDS液是與被一直供給的載氣持續接觸的，因此若片刻沒有產生疏水化氣體，則HMDS液與載氣在罐內反應而有可能引發HMDS液的變質。一旦HMDS液發生變質，則不能使晶圓的表面充分疏水化，從而難以提高晶圓表面與抗蝕膜的密合性。

專利文獻1：日本特開平11-214292號公報(第[0036]、[0037]、[0048]段)

發明內容

本發明是鑒于上述問題而做成的，目的在于提供藥液的氣化效率高、且能夠向基板供給高濃度的疏水化氣體、此外還能抑制藥液發生變質的疏水化處理裝置、疏水化處理方法以及含有用于實施該方法的計算機程序的存儲介質。

本發明的疏水化處理裝置的特征在于，該裝置包括：氣化面形成部，其表面位于氣化室內；氣化面加熱部件，其用于加熱上述氣化面形成部；藥液供給口，其用于將疏水化處理用的藥液供給到上述氣化面形成部的表面上；氣體導入口，其用于將載氣導入上述氣化室內；引出口，其用于引出在上述氣化室內被氣化了的疏水化氣體；處理容器，其用于利用自上述引出口供給的疏水化氣體對被載置在該處理容器內部的基板進行疏水化處理。

也可以將上述氣化室例如設在上述處理容器的頂板上，將上述氣化面形成部形成為隨著向下去而逐漸變寬的形狀，上述藥液供給口位于上述氣化面形成部的上方側。另外，也可以在上述氣化面形成部上形成用于使藥液利用毛細管現象擴散的槽部。上述疏水化處理裝置也可以具有氣體加熱部件，在將上述載氣導入氣化室中之前，利用該氣體加熱部件加熱上述載氣。另外，上述疏水化處理裝置例如還包括：濃度檢測部，其用于檢測自上述引出口引出的疏水化氣體的濃度；控制部，其根據該濃度檢測部的檢測值輸出控制信號，以便增加自藥液供給口供給到氣化室中的藥液的供給流量，在上述疏水化處理裝置包括上述濃度檢測部和控制部的情況下，在即使增加了藥液的供給流量、但濃度檢測部的檢測值仍低于規定值時，上述控制部輸出控制信號，以便升高氣化面加熱部件的加熱溫度。