[發明專利]檢查方法和設備

有效

• 申請號: 201010262277.3
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN101995408A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: A·J·鄧波埃夫;V·Y·班尼恩;S·F·烏伊斯特爾;L·斯卡克卡巴拉茲
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;G03F1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

技術領域

本發明涉及一種檢查方法和設備。所述檢查方法和設備可以用于例如(但并不排他的)檢查壓印光刻模具。

背景技術

在光刻技術中，不斷需要減小光刻圖案中的特征的尺寸，以便提高在給定的襯底區域內特征的密度。在光學光刻技術中，對更小特征的推動已經導致發展了諸如浸沒光刻和極紫外(EUV)光刻技術等技術，然而它們成本較高。

一種已經得到越來越多的關注的潛在的以低成本獲得更小特征的方法是所謂的壓印光刻術，其通常使用“印章”(通常稱為壓印模具或壓印光刻模具)以將圖案轉移到襯底上。壓印光刻術的優點在于特征的分辨率不會受到例如輻射源的發射波長或投影系統的數值孔徑的限制。相反，分辨率主要受限于壓印模具上的圖案密度。

壓印光刻包括將要被圖案化的襯底的表面上的可壓印介質的圖案化。所述圖案化可以包括：將壓印模具的圖案化表面與可壓印介質層放在一起(例如，朝向可壓印介質移動壓印模具，或朝向壓印模具移動可壓印介質，或兩者)，使得可壓印介質流入圖案化表面中的凹陷內并被圖案化表面上的突起推到一邊。凹陷限定壓印模具的圖案化表面的圖案特征。通常，在圖案化表面和可壓印介質放在一起時可壓印介質是可流動的。在可壓印介質的圖案化之后，可壓印介質適于變成不可流動的或凍結狀態(即固定狀態)，并且壓印模具的圖案化表面和圖案化的可壓印介質被分開。然后，通常襯底和圖案化的可壓印介質被進一步處理，以便圖案化或進一步圖案化襯底。通常，可壓印介質設置成將要被圖案化的襯底的表面上的液滴的形式，但是可以可選地使用旋涂或類似的方法來提供。

發明內容

在使用壓印模具期間，壓印模具可能會積聚缺陷。例如，缺陷可以是一個或更多個在壓印工藝期間已經淀積到壓印模具上的可壓印介質的顆粒。如果這種缺陷不去除，在隨后的壓印模具的壓印過程中，缺陷會物理地轉移到可壓印介質上或其中，或缺陷本身可以在可壓印介質中形成相應的圖案。在每個示例中，已經壓印到可壓印介質中的圖案可以是有缺陷的。

為了避免或減輕缺陷積聚在壓印模具上的問題，期望能夠檢查壓印模具以便探測存在(或不存在)這種缺陷。一旦探測到，可以去除缺陷。例如使用掃描電子顯微鏡可以執行這種檢查。然而，這種檢查方法慢，因此不是想要的。另一種檢查方法包括通過探測由缺陷散射的輻射來探測缺陷的存在。然而，在這種方法中輻射也被壓印模具本身的圖案特征(例如壓印模具的凹陷)散射，這會使得難以或不能精確地且一致地探測來自缺陷的散射，因而難以或不能精確地且一致地探測缺陷的存在。如果壓印模具的圖案特征是周期性的，用空間濾波器可以一定程度上抑制來自周期性圖案特征的散射。然而，空間濾波對非周期圖案特征是無效的，并且壓印模具通常包括非周期圖案特征。其他考慮到圖案特征的非周期特性的方法也是可以的，但是這些方法需要事先知道非周期圖案特征的布局(即，設計)。期望的是，避免對這種事先知道的需要。

期望的是，例如提供一種檢查方法和設備，其避免或減少現有技術中的無論這里或其他地方確定的至少一個問題，或提供替換現有的檢查方法和設備的一種檢查方法和設備。

根據本發明的一方面，提供一種用于探測在物體上存在或不存在缺陷的檢查方法，所述物體包括具有物理深度的凹陷，所述方法包括：將輻射引導到所述物體上，所述輻射的波長基本上等于所述凹陷的光學路徑(等于凹陷的物理深度乘以凹陷中真空或介質的折射率)的兩倍；探測被所述物體或所述物體上的缺陷改變方向的輻射；和由所述改變方向的輻射確定存在缺陷或不存在缺陷。

根據本發明的一方面，提供一種用于探測物體上存在缺陷或不存在缺陷的檢查方法，所述物體包括具有物理深度的凹陷，所述方法包括：提供與所述物體接觸的液體；引導輻射通過所述液體并照射所述物體，對于所述輻射的波長所述液體具有基本上與所述物體的折射率匹配的折射率；探測由所述物體或所述物體上的缺陷改變方向的輻射；和由所述改變方向的輻射確定存在缺陷或不存在缺陷。所述輻射在液體中的波長基本上等于所述凹陷的光學路徑(等于凹陷的物理深度乘以凹陷中真空或介質的折射率)的兩倍。

根據上述方面，所述物體可以是壓印模具，或適于應用于極紫外光刻中的掩模。

根據上述方面，凹陷的光學(或物理)深度可以是納米量級的，在0nm到100nm范圍或在40nm到70nm范圍內。凹陷的物理深度可以是4nm或更大，以允許選擇性蝕刻。

在上述的方面中，輻射可以具有納米量級的波長，在0nm到200nm范圍或80nm到140nm范圍內。

在上述的方面中，所述輻射是基本上單色的，或包括窄范圍的波長。