[發明專利]檢查方法和設備

有效

• 申請號: 201010262277.3
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN101995408A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: A·J·鄧波埃夫;V·Y·班尼恩;S·F·烏伊斯特爾;L·斯卡克卡巴拉茲
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;G03F1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種用于探測物體上存在缺陷或不存在缺陷的檢查方法，所述物體包括具有物理深度的凹陷，所述方法包括步驟：

將輻射引導到所述物體上，所述輻射具有基本上等于所述凹陷的光學深度的兩倍的波長；

探測被所述物體或所述物體上的缺陷改變方向的輻射；和

由所述改變方向的輻射確定存在缺陷或不存在缺陷。

2.一種用于探測物體上存在缺陷或不存在缺陷的檢查方法，所述物體包括具有物理深度的凹陷，所述方法包括步驟：

提供與所述物體接觸的液體；

引導輻射通過所述液體并到所述物體上，對于所述輻射的波長所述液體具有基本上與所述物體的折射率匹配的折射率；

探測由所述物體或所述物體上的缺陷改變方向的輻射；和

由所述改變方向的輻射確定存在缺陷或不存在缺陷。

3.根據權利要求2所述的檢查方法，其中，所述輻射在所述液體中的波長基本上等于所述凹陷的光學深度的兩倍。

4.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，所述凹陷的所述光學或物理深度是納米量級的，在0nm到100nm范圍內或40nm到70nm范圍內。

5.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，所述輻射具有納米量級的波長，在0nm到200nm范圍或80nm到140nm范圍內。

6.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，所述輻射是基本上單色的。

7.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，所述改變方向的輻射包括散射輻射。

8.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，由所述改變方向的輻射的強度分布或強度分布的改變確定存在缺陷或不存在缺陷。

9.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，使用暗場成像探測存在缺陷或不存在缺陷。

10.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，所述物體包括多個凹陷。

11.根據權利要求10所述的檢查方法，其中，所述多個凹陷以非周期的方式布置。

12.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法，其中，所述物體包括石英玻璃或熔凝石英。

13.一種用以探測物體上存在缺陷或不存在缺陷的檢查設備，所述物體包括具有物理深度的凹陷，所述設備包括：

輻射出口，配置成引導輻射到所述物體，所述輻射出口配置成引導具有基本上等于所述凹陷的光學深度的兩倍的波長的輻射；

探測器，配置成探測由所述物體或所述物體上的缺陷改變方向的輻射；和

探測布置，配置成使用改變方向的輻射確定存在缺陷或不存在缺陷。

14.一種用以探測物體上存在缺陷或不存在缺陷的檢查設備，所述物體包括具有物理深度的凹陷，所述設備包括：

液體分配器，配置成提供液體在所述物體上并與所述物體接觸；

輻射出口，配置成在使用時引導輻射通過所述液體并到所述物體上，所述液體具有對于所述輻射的波長基本上與所述物體的折射率匹配的折射率；

探測器，配置成探測由所述物體或在所述物體上的缺陷改變方向的所述輻射；和

探測布置，配置成使用改變方向的輻射確定存在缺陷或不存在缺陷。

15.根據權利要求13或14所述的設備，還包括用以提供所述輻射到所述輻射出口的輻射源。

16.一種用作前述權利要求中任一項中的所述物體的物體，所述物體包括凹陷，所述凹陷具有基本上等于在使用時引導到所述物體的所述輻射的波長的一半的光學深度。

17.根據前述權利要求中任一項所述的檢查方法、設備或物體，其中所述物體是壓印模具或者適于在極紫外光刻中使用的掩模。