[發明專利]實現雙應力應變技術的方法無效
| 申請號： | 201010261618.5 | 申請日： | 2010-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN102376578A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 徐偉中 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 實現 應力 應變 技術 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種實現雙應力應變技術的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
提供半導體襯底，其中，所述半導體襯底上已完成NMOS晶體管及PMOS晶體管的制作；
在所述NMOS晶體管及PMOS晶體管上制備金屬硅化物；
淀積張應力薄膜，所述張應力薄膜覆蓋所述NMOS晶體管及PMOS晶體管；
去除所述PMOS晶體管上的張應力薄膜；
淀積壓應力緩沖層，所述壓應力緩沖層覆蓋所述NMOS晶體管及PMOS晶體管；
在所述壓應力緩沖層上淀積壓應力薄膜，所述壓應力薄膜覆蓋所述NMOS晶體管及PMOS晶體管；
去除所述NMOS晶體管上的壓應力薄膜；以及
沉積層間電介質，對所述層間電介質進行光刻及刻蝕，并制備金屬電極。
2.如權利要求1所述的實現雙應力應變技術的方法，其特征在于，所述壓應力緩沖層為二氧化硅。
3.如權利要求2所述的實現雙應力應變技術的方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度為10～100埃。
4.如權利要求1所述的實現雙應力應變技術的方法，其特征在于，所述張應力薄膜為張應力氮化硅。
5.如權利要求1所述的實現雙應力應變技術的方法，其特征在于，所述壓應力薄膜為壓應力氮化硅。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
