[發明專利]外延基板

有效

• 申請號: 201010260257.2
• 申請日: 2010-08-23
• 公開（公告）號: CN102376835A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 黃世晟;凃博閔;楊順貴;黃嘉宏
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種用于成長發光二極管的外延基板，尤其涉及一種可用于成長復合波長的發光二極管的外延基板。

背景技術

現有的用于外延生長發光二極管磊晶結構的外延基板一般為平板狀，從而生長出來的發光二極管磊晶結構為單一波長。需要形成得到復合波長的發光二極管時，一般需要將多個不同波長的發光二極管封裝在同一個封裝體內，或者使用熒光材料以改變發光二極管發出光的波長，從而導致發光二極管結構復雜。

發明內容

下面將以實施例說明一種可用于成長復合波長的發光二極管的外延基板基板。

一種用于成長發光二極管磊晶結構的外延基板。該外延基板具有一個第一表面，發光二極管磊晶結構外延生長在該外延基板的第一表面上。該第一表面上形成有至少一第一凹槽，以使該外延基板成長的發光二極管磊晶結構具有至少兩個以上的發光峰值。

相對于現有技術，采用該外延基板的第一表面外延生長發光二極管磊晶結構的過程中，發光二極管磊晶結構在形成有第一凹槽與未形成有第一凹槽的第一表面上所受到的溫度不同，第一表面的形成有第一凹槽處外延生長的發光二極管磊晶結構所受到的溫度相對較低，最終生長的發光二極管磊晶結構的波長較長。因此，用該種外延基板成長的發光二極管磊晶結構具有至少兩個以上的發光峰值。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例提供的外延基板的剖面示意圖。

圖2是采用圖1中的外延基板外延生長的發光二極管磊晶結構的溫度分布與凹槽關系圖。

圖3是圖2中的發光二極管磊晶結構的光譜圖。

圖4是本發明第二實施例提供的外延基板的剖面示意圖。

圖5是采用圖4中的外延基板外延生長的發光二極管磊晶結構的溫度分布與凹槽關系圖。

圖6是圖5中的發光二極管磊晶結構的光譜圖。

主要元件符號說明

外延基板????????????????100、200

第一表面????????????????11、21

第一凹槽????????????????12、22

第一開口????????????????121、221

第二凹槽????????????????23

第二開口????????????????231

發光二極管磊晶結構??????14、24

第一型半導體層??????????141

發光層??????????????????142

第二型半導體層??????????143

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步的詳細說明。

請參見圖1，本發明第一實施例提供的一種外延基板100，其用于外延生長發光二極管磊晶結構。該外延基板100具有一第一表面11，發光二極管磊晶結構外延生長在該外延基板100的第一表面11上。該第一表面11為平面。該外延基板100的材料可以為硅(Si)或者碳化硅(SiC)。

該第一表面11上形成有多個第一凹槽12，每個第一凹槽12在該第一表面11上形成一個第一開口121。該第一開口121可以為圓形或多邊形。在本實施例中，該第一開口121為圓形，且該多個第一開口121的大小相同。該多個第一凹槽12等距離陣列排布，且該多個第一凹槽12的深度相同。當然，該第一表面11上也可以僅形成有一個第一凹槽12。

請參見圖2，該外延基板100上外延生長發光二極管磊晶結構14。在本實施例中，該發光二極管磊晶結構14外延生長于該第一表面11上，其包括一個第一型半導體層141，一個第二型半導體層143，以及位于該第一型半導體層141與該第二型半導體層143之間的發光層142。其中，該第二型半導體層143設置在該第一表面11上。

由于該外延基板100的第一表面11上具有多個第一凹槽12，因此，該發光二極管磊晶結構14在外延生長過程中，將導致該發光二極管磊晶結構14受熱不均勻，最終導致該發光二極管磊晶結構14的各區域的波長不相同。該發光二極管磊晶結構14在磊晶過程中的溫度與是否設置凹槽有關。