[發(fā)明專利]外延基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010260257.2 | 申請日： | 2010-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN102376835A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃世晟;凃博閔;楊順貴;黃嘉宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 | ||
1.一種用于成長發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)的外延基板，該外延基板具有一個第一表面，發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)外延生長在該外延基板的第一表面上，其特征在于：該外延基板的第一表面上形成有至少一第一凹槽，以使該外延基板成長的發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)具有至少兩個以上的發(fā)光峰值。
2.如權(quán)利要求1所述的外延基板，其特征在于，該第一凹槽的數(shù)量為多個，該多個第一凹槽的深度相同。
3.如權(quán)利要求1所述的外延基板，其特征在于，該第一凹槽的數(shù)量為多個，該多個第一凹槽等距離陣列排布。
4.如權(quán)利要求1所述的外延基板，其特征在于，該第一凹槽的數(shù)量為多個，每個第一凹槽在該外延基板的第一表面上形成有一個第一開口，每個第一凹槽在該第一表面上形成的第一開口的大小相同。
5.如權(quán)利要求4所述的外延基板，其特征在于，該第一開口為圓形或多邊形。
6.如權(quán)利要求1所述的外延基板，其特征在于，該外延基板的材料為硅或者碳化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的外延基板，其特征在于，該第一表面上進(jìn)一步形成有第二凹槽，該第二凹槽與該第一凹槽大小不相同。
8.如權(quán)利要求7所述的外延基板，其特征在于，該第二凹槽的數(shù)量為多個，該多個第二凹槽在該外延基板的第一表面上形成有一第二開口，每個第一凹槽在該第一表面上形成的第二開口的大小相同。
9.如權(quán)利要求8所述的外延基板，其特征在于，該第二開口為圓形或多邊形。
10.如權(quán)利要求7所述的外延基板，其特征在于，該第一凹槽與該第二凹槽的數(shù)量分別為多個，該多個第一凹槽與該多個第二凹槽等距離交錯設(shè)置。
11.如權(quán)利要求7所述的外延基板，其特征在于，該第一凹槽與該第二凹槽的數(shù)量分別為多個，該多個第一凹槽與該多個第二凹槽的深度相同。
12.如權(quán)利要求7所述的外延基板，其特征在于，該第一凹槽與該第二凹槽的數(shù)量分別為多個，該多個第一凹槽與該多個第二凹槽的深度不相同。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司，未經(jīng)展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010260257.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：溫陽通絡(luò)膠囊
- 下一篇：一種健康速溶咖啡的制備方法
