[發明專利]真空鍍膜件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010258943.6
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN102373412A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;張娟
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種真空鍍膜件，包括一基體及一形成于基體上的顏色層，其特征在于：該顏色層為一碳氧化鈦鋁層，該顏色層呈現的色度區于CIE?LAB表色系統的L^*坐標介于28至32之間，a^*坐標介于-1至1之間，b^*坐標介于-1至1之間。

2.如權利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于：所述顏色層的厚度為0.3～1μm。

3.如權利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于：該真空鍍膜件還包括一形成于基體與顏色層之間的襯底層，該襯底層為一鈦層。

4.如權利要求3所述的真空鍍膜件，其特征在于：該襯底層的厚度為0.01～0.1μm。

5.如權利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于：該基體的材質為金屬、玻璃、陶瓷及塑料中的一種。

6.一種真空鍍膜件的制造方法，包括以下步驟：

提供一基體；

使用一鈦靶及一鋁靶，通入流量為15～20sccm的氧氣及流量為15～20sccm的乙炔氣體，通過磁控濺射鍍膜方法在基體上形成一顏色層，該顏色層為一TiAlOC層，其厚度為0.3～1μm，呈現的色度區域于CIE?LAB表色系統的L^*坐標介于28至32之間，a^*坐標介于-1至1之間，b^*坐標介于-1至1之間。

7.如權利要求6所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于：在形成該顏色層的過程中，對基體施加-50～-200V的偏壓。

8.如權利要求7所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于：該顏色層的沉積時間為10～60min，該顏色層的厚度為0.3～1μm。

9.如權利要求6所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于：該真空鍍膜件的制造方法還包括在形成顏色層前在基體上鍍覆一鈦襯底層的步驟。

10.如權利要求9所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于：形成該鈦襯底層的工藝參數為：以鈦靶及鋁靶為靶材，設置鈦靶與鋁靶的電源功率為5～11kw，氬氣的流量為10～200sccm，濺射溫度為50～180℃，公轉轉速為1～4rpm，對基體施加的偏壓為-50～-200V，沉積時間為3～10min。