[發明專利]在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法

有效

• 申請號: 201010258080.2
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN102376568A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 李天賀
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法。

背景技術

肖特基是一種典型的二極管結構，它相比普通的由P型和N型半導體組成的二極管結構，具有導通電壓更低，反應速度更快，恢復時間更短的優點。

肖特基二極管產品是在晶圓上完成加工的，加工肖特基二極管產品的晶圓稱為肖特基二極管晶圓，肖特基二極管晶圓表面有一層質量很好、符合特定要求的硅層，稱為外延晶圓。

肖特基二極管產品有平面型和溝槽型兩種不同的結構。

目前，生產溝槽型肖特基二極管產品的工藝流程包括：在外延晶圓上開溝槽(如圖1所示，在外延晶圓上刻蝕出溝槽的晶圓示意圖中，晶圓襯底101上有一層外延晶圓102，外延晶圓102上開了很多條溝槽103)；在溝槽內生長隔離氧化層；在溝槽內淀積未摻雜的多晶硅；以及后續的工藝步驟。

目前，在生產過程中發現，如果溝槽較深，如深度大于1微米，在后續的工藝步驟中，有可能導致晶圓翹曲嚴重(具體可以參見圖2，從圖2中可以看出：晶圓201上有淀積了未摻雜多晶硅的溝槽202，晶圓201已經發生嚴重翹曲)，致使光刻機無法進片，影響正常生產工藝，降低生產效率。

綜上所述，現有技術的不足在于：

在溝槽較深時，有可能導致晶圓翹曲嚴重，致使光刻機無法進片，影響正常生產工藝，降低生產效率。

發明內容

本發明實施例提供一種在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法，用以解決現有技術中存在的在溝槽較深時，有可能導致晶圓翹曲嚴重，致使光刻機無法進片，影響正常生產工藝，降低生產效率的問題。

本發明實施例提供的一種在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法，包括：

將具有深溝槽的晶圓放入反應室；

在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

所述放入反應室的晶圓的深溝槽為空溝槽；

所述在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅包括：

同時向反應室通入化學源氣體和摻雜源氣體，通過化學氣相沉積法在溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

所述放入反應室的晶圓的深溝槽內已經淀積未摻雜的多晶硅；

所述在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅包括：

向反應室通入摻雜源氣體，通過高溫擴散法將雜質元素摻雜在未摻雜的多晶硅中，在深溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

所述放入反應室的晶圓的深溝槽內已經淀積未摻雜的多晶硅；

所述在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅包括：

向反應室通入摻雜源氣體，通過離子注入法將雜質離子注入未摻雜的多晶硅表層；

通過退火對雜質離子趨進，在深溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

所述通過退火對雜質離子進行趨進之前，還包括：

將深溝槽內已注入雜質離子的晶圓放入另一反應室。

所述摻雜的多晶硅為摻雜N型雜質的多晶硅。

所述深溝槽的深度為大于1微米。

所述摻雜的多晶硅在8000A厚度時的方塊電阻小于14歐姆/方塊。

本發明實施例提供的另一種在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法，包括：

將具有深溝槽的晶圓放入反應室；

通入化學源氣體，經過反應在深溝槽內淀積非晶硅；

通過退火使非晶硅轉變成多晶硅。

所述通過退火使非晶硅轉變成多晶硅之前還包括：

將深溝槽內淀積非晶硅的晶圓放入另一反應室。

由于本發明實施例將具有深溝槽的晶圓放入反應室；在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅。能夠改變多晶硅的內部結構和應力，減小晶圓翹曲，從而可以使光刻機正常進片，保證生產工藝正常進行，提高生產效率。

附圖說明

圖1為背景技術中在外延晶圓上刻蝕出溝槽的部分截面示意圖；

圖2為背景技術中晶圓翹曲的截面示意圖；

圖3為本發明實施例在深溝槽內淀積未摻雜多晶硅后的應力示意圖；

圖4A為本發明實施例第一種在深溝槽內淀積多晶硅的方法示意圖；

圖4B為本發明實施例晶圓放置在反應室的示意圖；

圖4C為本發明實施例在深溝槽內淀積摻雜多晶硅后的應力示意圖；

圖5為本發明實施例第二種在深溝槽內淀積多晶硅的方法示意圖；

圖6為本發明實施例第三種在深溝槽內淀積多晶硅的方法示意圖；

圖7為本發明實施例第四種在深溝槽內淀積多晶硅的方法示意圖；