[發明專利]在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法

有效

• 申請號: 201010258080.2
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN102376568A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 李天賀
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法，其特征在于，該方法包括：

將具有深溝槽的晶圓放入反應室；

在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述放入反應室的晶圓的深溝槽為空溝槽；

所述在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅包括：

同時向反應室通入化學源氣體和摻雜源氣體，通過化學氣相沉積法在溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述放入反應室的晶圓的深溝槽內已經淀積未摻雜的多晶硅；

所述在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅包括：

向反應室通入摻雜源氣體，通過高溫擴散法將雜質元素摻雜在未摻雜的多晶硅中，在深溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述放入反應室的晶圓的深溝槽內已經淀積未摻雜的多晶硅；

所述在晶圓的深溝槽內淀積摻雜的多晶硅包括：

向反應室通入摻雜源氣體，通過離子注入法將雜質離子注入未摻雜的多晶硅表層；

通過退火對雜質離子趨進，在深溝槽內淀積摻雜的多晶硅。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述通過退火對雜質離子進行趨進之前，還包括：

將深溝槽內已注入雜質離子的晶圓放入另一反應室。

6.如權利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述摻雜的多晶硅為摻雜N型雜質的多晶硅。

7.如權利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述深溝槽的深度為大于1微米。

8.如權利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述摻雜的多晶硅在8000A厚度時的方塊電阻小于14歐姆/方塊。

9.一種在深溝槽肖特基二極管晶圓的深溝槽內淀積多晶硅的方法，其特征在于，該方法包括：

將具有深溝槽的晶圓放入反應室；

通入化學源氣體，經過反應在深溝槽內淀積非晶硅；

通過退火使非晶硅轉變成多晶硅。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述通過退火使非晶硅轉變成多晶硅之前還包括：

將深溝槽內淀積非晶硅的晶圓放入另一反應室。