[發明專利]透明電極一體型封裝模塊及其制造方法

有效

• 申請號: 201010257301.4
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN102147674A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 黃龍云;姜東昊
• 申請（專利權）人: 諾發科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129
• 代理人: 張濤

1.一種不單獨設置觸摸屏電路的用于形成電極的玻璃基板而在封裝玻璃基板上的一面形成透明電極的透明電極一體型封裝模塊。

2.根據權利要求1所述的透明電極一體型封裝模塊，其特征在于：所述封裝玻璃基板是厚度介于0.05至0.5mm范圍之內的超薄型輕量化產品，且在硝酸鉀(KNO₃)熔融液中在380℃至450℃溫度環境下實施強化處理，而形成于所述封裝玻璃基板上的透明電極是在150℃至250℃溫度環境下沉積而成。

3.一種透明電極一體型封裝模塊的制造方法，其特征在于：包括將封裝玻璃基板加工成厚度介于0.05至0.5mm范圍之內的超薄型輕量化產品的步驟以及在所述超薄型封裝玻璃基板上形成透明電極電路的步驟。

4.根據權利要求3所述的透明電極一體型封裝模塊的制造方法，其特征在于：進一步包括對于所述超薄型封裝玻璃基板進行輕量化處理的步驟之后在玻璃基板表面形成空腔(Cavity)的步驟。

5.根據權利要求3所述的透明電極一體型封裝模塊的制造方法，其特征在于：進一步包括實施輕量化步驟之后采用化學方法強化所述超薄型封裝玻璃基板的步驟。

6.根據權利要求4所述的透明電極一體型封裝模塊的制造方法，其特征在于：進一步包括實施形成空腔的步驟之后采用化學方法強化所述超薄型封裝玻璃基板的步驟。

7.根據權利要求5或者6所述的透明電極一體型封裝模塊的制造方法，其特征在于：對于所述超薄型封裝玻璃基板實施強化處理時，在硝酸鉀(KNO₃)熔融液中以380℃至450℃的溫度實施熱處理。

8.根據權利要求7所述的透明電極一體型封裝模塊的制造方法，其特征在于：在所述超薄型強化封裝玻璃基板上形成透明電極的步驟是在150℃至250℃的低溫實施的IPVD工序。

9.根據權利要求7所述的透明電極一體型封裝模塊的制造方法，其特征在于：在所述超薄型強化封裝玻璃基板上形成透明電極的步驟是在常溫至150℃的溫度環境下涂敷透明電極物質并局部照射激光而實施結晶化的步驟。