[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請號: 201010256060.1
• 申請日: 2010-08-13
• 公開（公告）號: CN102082120A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 蔡佳倫;鄭家明;尤龍生
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于一種晶片封裝體，特別有關于一種包括蝕刻阻擋層或導電墊保護層的晶片封裝體及其制造方法。

背景技術

目前業界針對晶片的封裝已發展出一種晶圓級封裝技術，于晶圓級封裝體完成之后，需在各晶片之間進行切割步驟，以分離各晶片，然而在切割封裝層時，卻有可能導致暴露的導電墊受到殘留碎屑的損傷。

另外在需要蝕刻硅基板的場合中，如何選擇良好的蝕刻阻擋層，以提高晶片封裝體的良率，為當前的主要課題。

因此，業界亟需一種新穎的晶片封裝體及其制作方法，以克服上述問題。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體及其制造方法，其可在實施封裝層的切割制程前，先通過晶片保護層或增設的蝕刻阻擋層覆蓋在導電墊上，避免導電墊被切割殘余物損害及刮傷。依據本發明的另一實施例，可選擇以晶片保護層、晶片保護層上增設的蝕刻阻擋層或與導電墊同一位階高度的金屬蝕刻阻擋層或其組合，來對結構蝕刻區的層間介電層和硅基板進行蝕刻，以形成開口，便于后續半導體結構的制作，同時提高晶片封裝體的良率。

本發明提供一種晶片封裝體，包括：一半導體基板，具有一結構蝕刻區、一元件區和一接墊區；多個導電墊，設置于該半導體基板的該接墊區上；一晶片保護層，覆蓋于該半導體基板上；一絕緣蝕刻阻擋層及/或一金屬蝕刻阻擋層，該絕緣蝕刻阻擋層位于該晶片保護層上，該金屬蝕刻阻擋層與所述導電墊位于同一位階高度；其中，于該結構蝕刻區處，該晶片保護層與該絕緣蝕刻阻擋層及/或該金屬蝕刻阻擋層具有一連通的開口；及一封裝層，覆蓋該晶片保護層，其中該封裝層、該晶片保護層及/或該絕緣蝕刻阻擋層，具有暴露出所述導電墊的開口。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一間隔層設置于該封裝層與該晶片保護層之間。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一間隙形成于該封裝層與該晶片保護層之間，且其中該間隙被該間隔層所圍繞。

本發明所述的晶片封裝體，該封裝層包括一硅基板或一透明基板。

本發明所述的晶片封裝體，該晶片保護層與該半導體基板之間還包括一層間介電層。

本發明所述的晶片封裝體，該絕緣蝕刻阻擋層和該層間介電層及該半導體基板具有不同的蝕刻選擇比。

本發明所述的晶片封裝體，該絕緣蝕刻阻擋層的材料包括氮化硅層、氮氧化硅層、或氮化硅層/氧化硅層的復合層。

本發明所述的晶片封裝體，該絕緣蝕刻阻擋層與該晶片保護層的材料相同。

本發明另提供一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一半導體基板，該半導體基板由一層間介電層所覆蓋，該半導體基板包括多個元件區，任兩個相鄰的元件區之間包括一周邊接墊區，且該周邊接墊區包括多個導電墊；提供一晶片保護層，覆蓋該層間介電層及所述導電墊；形成一封裝層以覆蓋該晶片保護層；切割該封裝層以暴露出該周邊接墊區；及定義該晶片保護層，以暴露出該周邊接墊區上的所述導電墊，其中所述導電墊在切割該封裝層之前被該晶片保護層所覆蓋。

本發明所述的晶片封裝體的制造方法，還包括沿著該周邊接墊區分割該半導體基板，以形成多個晶片封裝體。

本發明又提供一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一半導體晶圓，該半導體晶圓具有一半導體基板，該半導體基板由一層間介電層所覆蓋，該半導體晶圓包括多個元件區，任兩個相鄰的元件區之間包括一周邊接墊區，且該周邊接墊區包括多個導電墊以及一結構蝕刻區；提供一晶片保護層，覆蓋該層間介電層，且覆蓋所述導電墊；定義該晶片保護層以于該結構蝕刻區處暴露出該層間介電層；以該晶片保護層為罩幕，定義該層間介電層以于該結構蝕刻區處暴露出該半導體基板；以該晶片保護層及該層間介電層為罩幕，定義該半導體基板以于該結構蝕刻區處形成開口；從該半導體基板背面進行蝕刻，形成連通該結構蝕刻區處的開口的半導體結構；及定義該晶片保護層，以暴露出所述導電墊。

本發明所述的晶片封裝體的制造方法，還包括下列步驟：形成一封裝層以覆蓋該半導體晶圓；切割該封裝層以暴露出該周邊接墊區；及定義該晶片保護層，以暴露出該周邊接墊區上的所述導電墊。

本發明所述的晶片封裝體的制造方法，還包括：形成一絕緣蝕刻阻擋層以覆蓋該晶片保護層；及定義該晶片保護層及該絕緣蝕刻阻擋層以于該結構蝕刻區處暴露出該層間介電層。

本發明所述的晶片封裝體的制造方法，還包括下列步驟：形成一封裝層以覆蓋該半導體晶圓；切割該封裝層以暴露出該周邊接墊區；及定義該晶片保護層及該絕緣蝕刻阻擋層，以暴露出該周邊接墊區上的所述導電墊。

本發明所述的晶片封裝體的制造方法，還包括：于該導電墊的同一位階高度形成一金屬蝕刻阻擋層；及定義該金屬蝕刻阻擋層以于該結構蝕刻區處形成開口。