[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請號: 201010256060.1
• 申請日: 2010-08-13
• 公開（公告）號: CN102082120A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 蔡佳倫;鄭家明;尤龍生
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一半導體基板，具有一結構蝕刻區、一元件區和一接墊區；

多個導電墊，設置于該半導體基板的該接墊區上；

一晶片保護層，覆蓋于該半導體基板上；

一絕緣蝕刻阻擋層及/或一金屬蝕刻阻擋層，該絕緣蝕刻阻擋層位于該晶片保護層上，該金屬蝕刻阻擋層與所述導電墊位于同一位階高度；其中，于該結構蝕刻區處，該晶片保護層與該絕緣蝕刻阻擋層及/或該金屬蝕刻阻擋層具有一連通的開口；及

一封裝層，覆蓋該晶片保護層，其中該封裝層、該晶片保護層及/或該絕緣蝕刻阻擋層，具有暴露出所述導電墊的開口。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層設置于該封裝層與該晶片保護層之間。

3.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隙形成于該封裝層與該晶片保護層之間，且其中該間隙被該間隔層所圍繞。

4.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該封裝層包括一硅基板或一透明基板。

5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片保護層與該半導體基板之間還包括一層間介電層。

6.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣蝕刻阻擋層和該層間介電層及該半導體基板具有不同的蝕刻選擇比。

7.根據權利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣蝕刻阻擋層的材料包括氮化硅層、氮氧化硅層、或氮化硅層/氧化硅層的復合層。

8.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣蝕刻阻擋層與該晶片保護層的材料相同。

9.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體基板，該半導體基板由一層間介電層所覆蓋，該半導體基板包括多個元件區，任兩個相鄰的元件區之間包括一周邊接墊區，且該周邊接墊區包括多個導電墊；

提供一晶片保護層，覆蓋該層間介電層及所述導電墊；

形成一封裝層以覆蓋該晶片保護層；

切割該封裝層以暴露出該周邊接墊區；及

定義該晶片保護層，以暴露出該周邊接墊區上的所述導電墊，其中所述導電墊在切割該封裝層之前被該晶片保護層所覆蓋。

10.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括沿著該周邊接墊區分割該半導體基板，以形成多個晶片封裝體。

11.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體晶圓，該半導體晶圓具有一半導體基板，該半導體基板由一層間介電層所覆蓋，該半導體晶圓包括多個元件區，任兩個相鄰的元件區之間包括一周邊接墊區，且該周邊接墊區包括多個導電墊以及一結構蝕刻區；

提供一晶片保護層，覆蓋該層間介電層，且覆蓋所述導電墊；

定義該晶片保護層以于該結構蝕刻區處暴露出該層間介電層；

以該晶片保護層為罩幕，定義該層間介電層以于該結構蝕刻區處暴露出該半導體基板；

以該晶片保護層及該層間介電層為罩幕，定義該半導體基板以于該結構蝕刻區處形成開口；

從該半導體基板背面進行蝕刻，形成連通該結構蝕刻區處的開口的半導體結構；及

定義該晶片保護層，以暴露出所述導電墊。

12.根據權利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括下列步驟：

形成一封裝層以覆蓋該半導體晶圓；

切割該封裝層以暴露出該周邊接墊區；及

定義該晶片保護層，以暴露出該周邊接墊區上的所述導電墊。

13.根據權利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括：

形成一絕緣蝕刻阻擋層以覆蓋該晶片保護層；及

定義該晶片保護層及該絕緣蝕刻阻擋層以于該結構蝕刻區處暴露出該層間介電層。

14.根據權利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括下列步驟：

形成一封裝層以覆蓋該半導體晶圓；

切割該封裝層以暴露出該周邊接墊區；及

定義該晶片保護層及該絕緣蝕刻阻擋層，以暴露出該周邊接墊區上的所述導電墊。