[發明專利]聚吡咯顆粒和二氧化鈦納米管列陣的復合材料制備方法

無效

• 申請號: 201010255860.1
• 申請日: 2010-08-18
• 公開（公告）號: CN101955665A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 肖鵬;賈袆超;張云懷;何輝超
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: C08L79/04
• 分類號: C08L79/04;C08K7/00;C08K3/22;C08G73/06;C25B3/00
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 謝殿武

1.聚吡咯顆粒和二氧化鈦納米管列陣的復合材料制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)合成二氧化鈦納米管列陣，并經焙燒得到銳鈦礦型二氧化鈦納米管列陣；

2)在由十二烷基苯磺酸鈉和吡咯單體組成的水溶液中，將焙燒后的二氧化鈦納米管列陣作為工作電極，鉑電極作為輔助電極，控制電壓在0.8～1.0V的條件下電化學聚合15～120min，得到聚吡咯顆粒和二氧化鈦納米管列陣的復合材料成品，其中，十二烷基苯磺酸鈉在水溶液中的濃度為0.05～0.15mol/L，吡咯單體在水溶液中的濃度為0.05～0.1mol/L。

2.根據權利要求1所述的聚吡咯顆粒和二氧化鈦納米管列陣的復合材料制備方法，其特征在于：在步驟1中，所述二氧化鈦納米管列陣的合成包括以下步驟：

(a)將鈦箔片依次放入質量百分比濃度為15～30％的鹽酸、無水乙醇、蒸餾水中，分別進行超聲清洗，去除其表面氧化物；

(b)將清洗晾干后的鈦箔片作為陽極，鉑片作為陰極置于0.16～0.20M的HF溶液中，在20～25V的電壓下常溫反應1～2h，然后取出用蒸餾水清洗干凈，通過該步驟形成非晶態二氧化鈦納米管列陣。

3.根據權利要求1或2所述的聚吡咯顆粒和二氧化鈦納米管列陣的復合材料制備方法，其特征在于：在步驟1)中，所述焙燒是指將通過合成步驟(b)得到的非晶態二氧化鈦納米管列陣在氮氣或空氣氛圍中焙燒1～2h，焙燒溫度為400～600℃，得到銳鈦礦型二氧化鈦納米管列陣。

4.根據權利要求3所述的聚吡咯顆粒和二氧化鈦納米管列陣的復合材料制備方法，其特征在于：在焙燒過程中，焙燒溫度為400～450℃。

5.根據權利要求2所述的聚吡咯顆粒和二氧化鈦納米管列陣的復合材料制備方法，其特征在于：在步驟(a)中，鈦箔片的純度大于等于99.6％。