[發(fā)明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010254687.3
• 申請日: 2010-08-13
• 公開（公告）號: CN101996858A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 呂詠錚;陳明發(fā);陳承先;黃招勝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/683
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

技術領域

本發(fā)明涉及一種制造半導體裝置的系統(tǒng)及方法，尤其涉及一種工藝進行期間運送及支承半導體晶片的系統(tǒng)及方法。

背景技術

一般來說，靜電吸盤可在進行半導體晶片工藝期間使用，用以支承及運送半導體晶片及其載板。靜電吸盤不同于通過作為物理夾鉗的機械式吸盤來支承晶片，晶片與載板的支承是通過施加電荷于一平板上并產(chǎn)生靜電力以支承半導體晶片。上述配置允許靜電吸盤避免與晶片待處理側接觸(一種典型鉗夾機械式吸盤無法避免的接觸)，進而防止晶片待處理側的損害。

然而，近年來半導體晶片的厚度下降，特別是基底通孔電極(through-substrate?via)的出現(xiàn)以及半導體晶片薄化需求，靜電吸盤出現(xiàn)了問題。也即，薄晶片通常采用絕緣載板(例如，玻璃)以幫助支承薄半導體晶片結構。然而，絕緣載板本身具有小庫倫力，且薄半導體晶片的庫倫力小于先前厚晶片，而為了在靜電吸盤與晶片/載板組合之間提供足夠的吸引力，以在吸盤上支承晶片/載板組合，這些晶片及載板需要越來越大的偏壓。然而，上述大偏壓不僅因為需要更多能量而增加制造成本，而且也會在半導體晶片進行工藝期間遭到損害。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術的問題，本發(fā)明一實施例中，一半導體裝置包括一半導體晶片載板。半導體晶片載板包括一介電材料。半導體晶片載板也包括一導電摻雜物，其位于介電材料內(nèi)。

本發(fā)明另一實施例中，一半導體裝置包括一半導體晶片載板，用以承載半導體晶片。半導體晶片載板也包括一介電材料。導電通孔結構位于介電材料內(nèi)。

本發(fā)明又一實施例中，一種半導體裝置的制造方法，包括：提供一半導體晶片，其包括一基底及延伸進入一部分的基底內(nèi)的一或多個基底通孔電極；提供一載板，其包括一或多個離子摻雜物；以及將半導體晶片貼附至載板。

本發(fā)明又另一實施例中，一種半導體裝置的制造方法，包括：提供一半導體晶片，其包括一基底及延伸進入一部分的基底內(nèi)的一或多個基底通孔電極；提供一載板，其包括多個導電通孔結構；以及將半導體晶片貼附至載板。

本發(fā)明又另一實施例中，一種半導體裝置的制造方法，包括：提供一載板，其包括一第一基底及位于第一基底內(nèi)的一或多個離子摻雜物；以及將載板貼附至一半導體晶片的一第一側，半導體晶片包括一半導體基底及延伸進入半導體基底內(nèi)的至少一導電通孔結構。

本發(fā)明可避免高電壓施加于半導體晶片所潛在的任何負面效應，并具有更便宜的制造程序。

附圖說明

圖1示出根據(jù)一實施例的半導體晶片、粘著層及載板剖面示意圖。

圖2示出根據(jù)一實施例將圖1中半導體晶片與載板放置于一靜電吸盤的剖面示意圖。

圖3示出根據(jù)一實施例的載板剖面示意圖，其包括導電層及通孔；以及

圖4示出根據(jù)一實施例將圖3中半導體晶片與載板放置于一靜電吸盤的剖面示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

101～半導體晶片；

103～粘著層；

105～載板；

107、305～第一側；

109、307～第二側；

111～基底通孔電極；

201～靜電吸盤；

203～上表面；

205～電極；

207～電源；

209～開口；

301～導電層；

303～導電通孔結構。

具體實施方式

以下說明本發(fā)明實施例的制作與使用。然而，可輕易了解本發(fā)明實施例提供許多合適的發(fā)明概念而可實施于廣泛的各種特定背景。所揭示的特定實施例僅僅用于說明以特定方法制作及使用本發(fā)明，并非用以局限本發(fā)明的范圍。

以下實施例是以一特定背景作說明，也即一半導體晶片載板。然而，其他實施例也可應用于其他載板或支承結構。

請參照圖1，其示出一半導體晶片101、一粘著層103以及一載板105。通常半導體晶片101包括多個各自的芯片，其中每一芯片包括一基底，其上形成了公知電子裝置。基底上通常覆蓋了一或多層介電層及導電層。這些導電層提供下方電子裝置的連接及發(fā)送路線。

半導體晶片101可具有一第一側107，其上具有電子裝置、介電層及金屬層。半導體晶片101已可具有一第二側109位于背對第一側107處。