[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010254687.3
• 申請日: 2010-08-13
• 公開（公告）號: CN101996858A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 呂詠錚;陳明發;陳承先;黃招勝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/683
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

提供一半導體晶片，其包括一基底及延伸進入一部分的該基底內的一或多個基底通孔電極；

提供一載板，其包括一或多個離子摻雜物；以及

將該半導體晶片貼附至該載板。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該離子摻雜物包括鈉或鉀或硼，該離子摻雜物的濃度大于5×10¹⁴cm^-1。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中提供該載板的步驟還包括：

提供沒有離子摻雜物的一載板；以及

對該載板摻雜一或多個離子摻雜物。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該基底通孔電極包括銅，其中該載板包括玻璃或硅基材料。

5.一種半導體裝置的制造方法，包括：

提供一半導體晶片，其包括一基底及延伸進入一部分的該基底內的一或多個基底通孔電極；

提供一載板，其包括多個導電通孔結構；以及

將該半導體晶片貼附至該載板。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中該導電通孔結構包括導電有機材料。

7.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中該載板還包括：

一介電材料，填入所述多個導電通孔結構之間的空間；以及

一第一導電層，接觸該介電材料的一第一表面。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，還包括一第二導電層，接觸該介電材料的一第二表面，該第二表面背對于該介電材料的該第一表面。

9.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中該導電通孔結構包括氧化鋁或銅，該載板包括玻璃。

10.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，還包括：

將該載板放置鄰近于一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一電極；以及

在該電極施加一第一電壓。