[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010254675.0
• 申請日: 2010-08-11
• 公開（公告）號: CN101996997A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 舛岡富士雄;中村廣記
• 申請（專利權）人: 日本優尼山帝斯電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭小軍;馮志云

1.一種半導體器件，發揮作為反相器功能，其特征在于，具有：

第1島狀半導體層；

第2半導體層；

柵極電極，至少一部分配置于所述第1島狀半導體層與所述第2半導體層之間；

第1柵極絕緣膜，至少一部分配置于所述第1島狀半導體層與所述柵極電極之間，且與所述第1島狀半導體層周圍的至少一部分接觸，并且與所述柵極電極的一面接觸；

第2柵極絕緣膜，配置于所述第2半導體層與所述柵極電極之間，且與所述第2半導體層接觸，并且與所述柵極電極的另一面接觸；

第1個第1導電型高濃度半導體層，配置于所述第1島狀半導體層的上部；

第2個第1導電型高濃度半導體層，配置于所述第1島狀半導體層的下部，且具有與所述第1導電型高濃度半導體層相同極性；

第1個第2導電型高濃度半導體層，配置于所述第2半導體層的上部，且具有與所述第1導電型高濃度半導體層相反極性；及

第2個第2導電型高濃度半導體層，配置于所述第2半導體層的下部，且具有與所述第1導電型高濃度半導體層相反極性。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，具備第1晶體管與第2晶體管；

所述第1晶體管由以下所構成：

所述第1島狀半導體層；

所述第1柵極絕緣膜；

所述柵極電極；

所述第1個第1導電型高濃度半導體層；及

所述第2個第1導電型高濃度半導體層；

所述第2晶體管由以下所構成：

所述柵極電極；

所述第2柵極絕緣膜；

所述第2半導體層；

所述第1個第2導電型高濃度半導體層；及

所述第2個第2導電型高濃度半導體層。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第2半導體層為圓弧柱狀半導體層。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第2半導體層為矩形柱狀半導體層。

5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第1島狀半導體層為角柱形狀。

6.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第2半導體層為圓柱狀半導體層。

7.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還具備：

第3個第1導電型高濃度半導體層，配置于所述第2個第1導電型高濃度半導體層與所述第2個第2導電型高濃度半導體層的下部；

第1金屬半導體化合物層，形成于所述第2個第2導電型高濃度半導體層與所述第3個第1導電型高濃度半導體層的側壁的一部分；

第2金屬半導體化合物層，形成于所述第1個第1導電型高濃度半導體層的上部；及

第3金屬半導體化合物層，形成于所述第1個第2導電型高濃度半導體層的上部。

8.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第1個第1導電型高濃度半導體層為第1p+半導體層；

所述第2個第1導電型高濃度半導體層為第2p+半導體層；

所述第1個第2導電型高濃度半導體層為第1n+半導體層；而且

所述第2個第2導電型高濃度半導體層為第2n+半導體層。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，還具備：

第3p+型半導體層，配置于所述第2n+型半導體層與所述第2p+型半導體層的下部；

第1金屬半導體化合物層，形成于所述第2n+型半導體層與所述第3p+型半導體層的側壁的一部分；

第2金屬半導體化合物層，形成于所述第1n+型半導體層的上部；及

第3金屬半導體化合物層，形成于所述第1p+型半導體層的上部。

10.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，將所述第2半導體層的與第2柵極絕緣膜周圍的一部分接觸的弧的長度設為Wn、及將所述第1島狀半導體層的外圍長度設為Wp時，Wp≈2Wn。

11.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，將所述第2半導體層的溝道長度設為Ln、及將所述第1島狀半導體層的溝道長度設為Lp時，Ln≈Lp。