[發明專利]一種改善DKDP晶體普克爾盒性能的方法

無效

• 申請號: 201010254484.4
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN101976798A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: 李宇飛;褚宏偉;于正剛;劉學勇
• 申請（專利權）人: 山東大學;山東明順光電有限公司
• 主分類號: H01S3/115
• 分類號: H01S3/115;G02F1/03
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 于冠軍

技術領域

本發明涉及用多電極改善DKDP電光晶體普克爾盒性能的方法，屬于電光開關技術領域。

背景技術

DKDP電光晶體(以下稱晶體)在作普克爾盒使用時，一般使用一對環狀電極，將這對電極稱為主電極，如圖1所示，在晶體1的兩端各設有一個環狀的主電極2。圖1所示坐標系Z軸為通光方向，在兩個主電極2之間加上電壓V，當一束偏振方向與X軸或Y軸方向平行的線偏振光射入晶體1后，這束線偏振光可分解成兩束相互垂直的線偏振光，由晶體的特性可知，這兩束光通過晶體1時產生的相位延遲為：

Δφ=2πλno3γ63V---(1)]]>

式中n_o為o光折射率；γ₆₃為晶體縱向電光系數；V為晶體兩端所加電壓；λ為線偏振光的波長。當Δφ＝π/2或π時所加電壓V分別稱為1/4波電壓V_λ/4和半波電壓V_λ/2。

假設主電極2為薄層金屬，徑向厚度為零，主電極2的寬度為a，兩主電極加電壓V后面電荷密度分別是σ和-σ，則晶體1內任意一點的電勢為：

U(x,y,z)=σ4πϵ∫02π∫-L2-L2+a1(x-Rcos(φ))2+(y-Rsin(φ))2+(z-z1)2dz1dφ-∫02π∫L2-aL21(x-Rcos(φ))2+(y-Rsin(φ))2+(z-z1)2dz1dφ---(2)]]>